為它能夠更好地照顧到各種圖形的丁藝窗口。由于成像需要至少兩束光的干涉, JA3515-OS-A04環形照明中對成像有貢獻的部分僅僅是環形的一部分,剩余部分的衍射光由于沒有能夠進人光瞳,所以只能夠在硅片上起到均勻照明,即形成背景曝光。這種背景曝光如果太大,比如當空間周期變得太接近0.5^/NA,會使對比度變得太小。

   環形照明在光瞳上的分布函數對成像起作用的部分,為了避免插圖顯得復雜,這里只畫出了右半部分,左半部分的衍射有效部分同右半部分對稱。環形照明在光瞳上的分布函數對成像起作用的部分隨空間周期逼近分辨率極限而變、空問像對比度也因此變小。圖較大空間周期的衍射譜和空間像;簾問周期在分辨率極限附近(接近0,5^/NA)的衍射譜和空間像;為了避免插圖顯得復雜,這里只畫出了右半部分,左半部分的衍射有效部分同右半部分對稱。掩膜版是通過透光和不透光來將電路板設計圖案表達出來的。不過,由于衍射效應,本來不透光的區域,在硅片的像中光強也不等于零。在1982年,萊文森(I'cvcnson)和他的合作者提出使用位相區域來減少本來是不透光的區域的光強「Ⅱ]。相移掩膜版的原理是通過將部分透射光的位相相對其他透射光的移動180°來抵消由于衍射造成的對比度下降效應。當前T業界使用最多的是透射衰減的相移掩膜版(Attcnuated Phase Shifting Mask,AttPSM),它可以顯著改善密集線條的工藝窗口。當然,還有交替相移掩膜版(AlternatingPhase Shifting Mask,Alt PSM)(見圖7.91),叉叫做萊文森(I'evenson)相移掩膜版、邊緣相移掩膜版(rim phase shifting mask)(見圖7.92)、無鉻相移掩膜版(chr°me less phaseshifting mask)等類型,其原理都是類似的。