在集成電路制造中,污染無處不在,是個不可忽視的因素,因為它們會損害芯片的質量、降低芯片的效能。據估計5O%良率損失來源于污染。HCPL-0631-000E污染對半導體器件的影響很復雜,因此針對不同的污染,采取不同的應對措施。

   顆粒可能牢固地緊縛于晶片表面,在膜層沉積時共生,成為掩埋缺陷;顆粒可引起各種制程操作的障礙或形成幕罩。例如,顆粒妨礙離子植人或干擾光刻圖案的正常曝光。在刻蝕時,顆粒阻斷光刻圖案向膜層圖案的轉移;在制程的后段部分(金屬內連接),顆粒能引起

導線的斷開和臨近線的導通。當集成電路制造的線寬微縮到40nm以下,很小尺寸的顆粒都會導致IC的失敗,最小顆粒尺寸的要求仰仗于顆粒所處的區域和該區域的器件特征尺寸。一般講,顆粒尺寸如果超過器件最小特征尺寸的50%,就有導致器件失效的可能。

   芯片污染膜在很多方面影響集成電路的正常加工和器件性能。如受金屬污染的柵氧化層,漏電流會增大,良率降低「21;污染的膜層在酸槽中刻蝕,會二次污染酸槽;污染的膜層也有可能直接或分解成有害副產物阻止下一個沉積膜對晶片的很好粘附,造成脫落;甚至 在無氧環境下加熱,有機膜殘渣碳化,或將與硅反應在晶片L形成化硅(SiC)缺陷區。金屬和離子污染會引起有關器件操作方面的問題。在爐管制程時,金屬污染物(如鐵和銅)在硅中擴散極快,假如它們由晶片表面進人硅基材,會導致器件性能降低,如少數載流子

壽命降低和PN結附近漏電流增大。鈉在二氧化硅中擴散快。氧化層中少量鈉就會引起MOS場效應管開啟電壓的不穩定,也可降低閘氧化層的擊穿電壓。