HD74LS05P

   注人空穴,要求陽極的真空能級與HTL的空穴真空能級臼OMO目匹配或相近,亦即陽極功函數與HTL的HoMo相匹配。用作空穴注人的陽極材料,需滿足以下條件:①高電導率;②優良的化學及形態穩定性;③高功函數;④女日果陽極一側是光輸出方向,則陽極材料要求在整個可見光范圍內有較好的透光性,以利于器件產生的光發射出來。功函數較高的金屬(金、銀、鋁、鎳等)、透明導電金屬氧化物rTCo∶transparent conductingoxide)、碳黑、導電聚合物等都被用作OLED的陽極材料。這些電極材料的功函數大都在4.5。0eV,從有機材料角度考慮,HOMO能級在5,0~5,5eV的有機物可以有效地由陽極注人空穴。

    銦錫氧化物Cndium tin oxide,ITO)是最常用的OLED陽極材料,其功函數在4.0叫.5eV左右。ITO的特點是穩定性好、透光性強,可見光范圍內透光率達⒛%)、電阻率低(約為2~4×10彳Ω.cm)。ITo的導電機制主要取決于,在淀積過程中產生的氧空缺、以及氧化銦中引人的錫,可形成n型摻雜。產生一個氧空缺將多出兩個電子,一個四價錫對三價銦的摻雜將會產生一個過剩電子,這些都將形成n摻雜效應。制備ITo薄膜通常采用真空濺射臼acuum sputting)、化學氣相沉積(chemical vapourdeposition,CVD),或者噴霧高溫分解(spray pyrolysis)等方法。靶材通常由In2O3摻雜10%snO2組成。由于ITO薄膜制備通常在21S°C以上的高溫進行,柔性塑料襯底不能適用。因為高溫會使塑料襯底發生形變甚至裂解。低溫ITO薄膜生長技術對柔性OLED非常重要。嘗試中的低溫ITO生長技術包括脈沖燒蝕rpulsed ablation)、離子束輔助沉積(ion beam assisted depositionJ及負離子濺射技術oegative sputter on beam technology),其中負離子濺射技術是最有潛力的方法。