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   酸堿吸附及自組裝單分子層

   研究發現,ITO表面的酸堿吸附可以很大程度地改變功函數。酸處理ITO表面可以增大功函數,相應地,堿處理可以減小功函數,功函數的變 化可高達+0,7eV,磷酸(燉Po4)及四-丁基氫氧化銨lNc4H9)40H]分別是效果最大的酸和堿。圖5,9給出了作用機制及上述酸堿的分子結構。當ITO表面吸附酸時,表面將被質子化,同時陰離子將被吸附在質子之上,由此形成了遠離ITo的偶電層,該偶電層使電子的勢能減小,因此ITo功函數增大。

    同樣地,當ITO表面吸附堿時,將形成指向ITo的偶電層,因此電子勢能增大,功函數減小。雖然酸堿處理對ITO功函數影響顯著,但是在OLED器件中,該方法的穩定性較差。例如,當空穴傳輸材料NPB(4,華bislN《1-naphthyl)ˉNˉphenylˉamino]biphenyD制各于酸處理ITO之上時,由于NPB中氮原子與酸中氫原子作用破壞了偶電層,ITO功函數將減小。

    除了酸堿吸附,ITO表面的功函數還可以通過自組裝單分子層(selfassembly monolayer,sAM)形成的偶電層來改變。例如,在ITO表面自組裝的⒋NPPA g-ni訂ophenylphosphonic acidJ遠離表面的偶電層,可以使功函數增加0.3eV⒓四。氯化硅烷可以在ITO表面通過硅原子與ITO中氧原子形成共價鍵,形成遠離表面的非常穩定的偶電層,可在提高ITO功函數的同時,增加器件穩定性和壽命⑿1]。自組裝單分子層雖然可以有效地修飾陽極注人電極,提高器件性能。但是由于ITO表面的粗糙度很高,在其表面形成長程有序的單分子層比較困難。