器件的電學性能曲線
發布時間:2019/4/12 22:04:49 訪問次數:4776
與全氟并五苯類似,基于氟取代噻吩齊聚物(圖3,38,DFH巧T DFH-5TDFH叫Tl的n型載流子場效應遷移特性也是在真空下獲得。其中,含噻吩環最少的DFH砰T表現出的場效應遷移率較大,為0.⒄8cm2/(V・Θo可能的原因是噻吩環較少的分子鏈中,烷基所占的比例較大,易形成較好的長程有序結構。通過器件優化,DFH砰T的場效應遷移率可達0.⒛cm2。最早被發現能夠在大氣環境下工作的n型有機場效應晶體管是基于F16-CuPc的器件,器件載流子遷移率達到0。O3cm2。該工作報道于1998年,圖3,41是器件的電學性能曲線。作者認為器件可以在大氣環境下穩定工作的原因在于,F1⒍CuPc薄膜中暴露在外邊、與大氣接觸的是氟原子,它們可以有效地阻擋空氣中的水汽等活性成分向薄膜內部的侵入。
與全氟并五苯類似,基于氟取代噻吩齊聚物(圖3,38,DFH巧T DFH-5TDFH叫Tl的n型載流子場效應遷移特性也是在真空下獲得。其中,含噻吩環最少的DFH砰T表現出的場效應遷移率較大,為0.⒄8cm2/(V・Θo可能的原因是噻吩環較少的分子鏈中,烷基所占的比例較大,易形成較好的長程有序結構。通過器件優化,DFH砰T的場效應遷移率可達0.⒛cm2。最早被發現能夠在大氣環境下工作的n型有機場效應晶體管是基于F16-CuPc的器件,器件載流子遷移率達到0。O3cm2。該工作報道于1998年,圖3,41是器件的電學性能曲線。作者認為器件可以在大氣環境下穩定工作的原因在于,F1⒍CuPc薄膜中暴露在外邊、與大氣接觸的是氟原子,它們可以有效地阻擋空氣中的水汽等活性成分向薄膜內部的侵入。