FAN1655MTF

   由p型轉換為n型的氟取代有機半導體

   在分子設計上,以電負性較大的氟原子代替分子中電負性小的氫原子,可以獲得電子親和能增大即LLrMO能級降低的材料,達到與惰性源漏電極匹配的目的,可作為n型半導體材料應用于場效應晶體管器件。這些材料包括十六氟酞菁銅、氟原子取代的噻吩齊聚物卩7,9:l、全氟并五苯㈣,如圖3.38所示。

   類似于并五苯,全氟并五苯也是平面型分子,在單晶堆疊上也里現出“魚骨型”模式,如圖3,39所示。二者的不同之處在于:相鄰兩個分子層之間并五苯分子的夾角為51.叨,小于全氟并五苯⑿1.2°),說明全氟并五苯可以更好地“站”在襯底上;另外,在同一分子層內,并五苯分子之間碳與碳的距離o,“勾大于全氟并五苯r3,”~3。乃匈,表示全氟并五苯晶體中分子排列比較緊密。呈電負性的氟基團與呈電正性的并五苯基團之間較強的靜電作用,可能是全氟并五苯堆積比較緊密的原因。為真空中測量的基于全氟并五苯的場效應晶體管的電性能曲線,器件飽和區域的遷移率為0.11Gm。