F0LF598CIWTR

   在主體材料一摻雜磷光材料體系中,從摻雜磷光材料三線態到主體材料三線態的逆向能量轉移過程,可以通過許多途徑得到觀測或證實。例如,低溫下檢測主體材料的三線態發光、分析摻雜薄膜在不同溫度下發光光譜變化、光誘導吸收譜分析、瞬態發光光譜分析等。

    雖然通過選擇三線態能量較高的主體材料,可以抑制磷光摻雜材料激子向主體材料的轉移,得到較高的發光效率。但也有使用三線態能量較低的主體材料卻得到較高發光效率的特殊例子。如選用三線態能量較低的聚芴衍生物作為一個磷光材料的主體材料時,如果在陽極和摻雜發光層之間嵌人可阻擋電子移出的緩沖層,使電子聚集在發光層內靠近陽極的界面,而陽極注入的空穴可以通過直接俘獲的方式注人到摻雜磷光材料中,隨后與聚集在界面處的電子復合產生磷光發射,器件的效率可高達36,8cd/A及12.3%。

    研究表明摻雜薄膜的形貌對是否發生從主體材料到摻雜材料的Dexter能量轉移過程至關重要,如果摻雜材料的磷光壽命足夠短,則在三線態激子能量較高的情況下,也會產生主體材料三線態到摻

雜材料三線態的Dexter能量轉移阝到。我們使用新型磷光材料k(BPPya)3制備PhOLED器件,通過器件物理機制研究,指出磷光三線態激子一三線態激子(Tˉη的猝滅作用,可通過激子復合區域的限域及展寬得到抑制,從而得到了效率高、且隨電流密度滑落小的高性能器件。