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除了標準CMOS電路設計參數決定運算放大器的性能

發布時間:2019/4/29 21:25:17 訪問次數:1514

    除了標準CMOS電路設計參數決定運算放大器的性能,我們還可以通過物理設計調整這些參數,也就是說,通過選擇合適的電極面積以及電極在芯片中的位置排布。一個簡單的可提供上述推薦比例搭配的解決方案示意如圖6.18所示。

HD74LS03P

   電極-電極的電阻比率(通過電解質)和電極的電容顯而易見。有關精度要求和輸人補償電壓的要求將在本段后面展開。為了便于理解這一點,我們參照圖6.19,電化學反應的強度與電極-電解液施加電壓的關系簡圖。在非常小的電壓時,反應完全被抑制。然而,隨著電壓逐步增加,達到出現反應的臨界點,之后,隨著這個電壓的進一步繼續增加,反應完成,在圖中達到反應的峰值并維持穩定狀態。因此,這種情況下加載的可以保證完全反應的電壓可以選擇為比完全反應所需電壓值高幾十mⅤ。由于下一個電化學反的開啟發生在

更高電壓下(對于每一個合適的電化學測量,此值至少有幾百mⅤ),因此比目標操作電壓稍高或稍低的輕微偏差可以忽略不計。

    

    除了標準CMOS電路設計參數決定運算放大器的性能,我們還可以通過物理設計調整這些參數,也就是說,通過選擇合適的電極面積以及電極在芯片中的位置排布。一個簡單的可提供上述推薦比例搭配的解決方案示意如圖6.18所示。

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   電極-電極的電阻比率(通過電解質)和電極的電容顯而易見。有關精度要求和輸人補償電壓的要求將在本段后面展開。為了便于理解這一點,我們參照圖6.19,電化學反應的強度與電極-電解液施加電壓的關系簡圖。在非常小的電壓時,反應完全被抑制。然而,隨著電壓逐步增加,達到出現反應的臨界點,之后,隨著這個電壓的進一步繼續增加,反應完成,在圖中達到反應的峰值并維持穩定狀態。因此,這種情況下加載的可以保證完全反應的電壓可以選擇為比完全反應所需電壓值高幾十mⅤ。由于下一個電化學反的開啟發生在

更高電壓下(對于每一個合適的電化學測量,此值至少有幾百mⅤ),因此比目標操作電壓稍高或稍低的輕微偏差可以忽略不計。

    

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