制樣鏡檢適用性的拓展

   制樣鏡檢參考的標準主要有GJB4⒆7《軍用電子元器件破壞性物理分析方法》和GJB4152《多層瓷介電容器及其類似元器件剖面制各及檢驗方法》等。 QCA7411L-AL3C一般來講,制樣鏡檢多針刈電容器、電阻器、電感器及電連接器等進行,在GJB們27中有對應的詳細制樣方法和缺陷判據,雨i對于大多數分立器件、集成電路等則沒有規定。但在IC集成電路檢驗和失效分析中,有時也參考制樣鏡檢的方法,對其進行剖磨以便檢查內部結構。由于分立器件和集成電路的結構更為復雜,樣品材質更為多樣,不同結構和材料的力學性能又極不相同。囚此,對制樣鏡檢提出了更高和更復雜的要求,在其金相制樣過程中,需要根據觀察部位的結構和材質不同,更為慎迢地選擇Lsl化劑、磨料、拋光料,對剖磨時問和力度的控制也要更加精確。對這典樣品的金相制樣,實際上不可能制訂一個通用的剖磨方案。此外,對IC集成電路進行制樣鏡檢,往往只是針對部分區域進行,為了能為迅速找到觀察切面,往往需要先對其進行機械切割,以便盡快接近目標位置.

    IC集成電路中,使用比較多的是硅芯片。硅是一種脆而硬的材料,如果用粗碳化硅砂紙進行剖磨,較粗的磨料顆粒容易使硅試樣的邊緣受到很大的沖擊損傷,產生碎裂。因此,對于硅試樣,往往僅采用細度磨料進行磨光,必要時還需使用特殊的夾具來保護試樣邊緣免受損傷。陶瓷封裝的器件也是r集成電路中比較常見的組成部分,如果使用碳化硅磨料進行剖磨,由于碳化硅的硬度與封裝陶瓷硬度相近,但是卻脆得多,容易產生細長的碎屑并嵌入焊料中而不易除去,造成試樣表面的劃痕。此時可以選用形狀更接近塊狀的金剛石磨料,其優異的材料去除能力可以使陶瓷一焊料界面保持平坦,即使碎屑嵌入了焊料,也容易被除去。在拋光時,需根據觀察部位的結構和材料來選擇適宜的拋光懸浮液,如膠體狀二氧化硅懸浮液適宜用于拋光硅、玻璃、氧化物和鋁等,在一定程度上也可以用于銅。但是如果用于鍍鎳層和金球,則會產生塑性流變c囚此,如果要觀察硅晶片和鍍鎳的銅引線支架之間的連接部位,選擇氧化鋁懸浮液更容易獲得平坦而無劃痕的表面。