破壞性引線鍵合強度試驗
發布時間:2019/5/22 22:25:06 訪問次數:4802
破壞性引線鍵合強度試驗 QG82915GV
試驗后對于指定的試驗條件、組成和結構所要求的最小鍵合強度,若施加應力小于表4-16的規定時出現鍵合點分離則視為失效。其失效分類如下:
(1)內引線鍵合。
①在因鍵合工藝而使引線截面減小的位置上引線斷開。
②在其他位置上引線斷開。
③在引線和芯片金屬化焊點間失效。
④在封裝基片和外引線鍵合區或非芯片位置上的鍵合失效。
⑤金屬化層從芯片表面浮起。
⑥金屬化層從基片或封裝外引線鍵合區表面浮起。
⑦基片破裂。
(2)連接印制板或基片的外部鍵合。
①在變形處(受鍵合影響的部位)的外引線或引出端斷開。
②在未受鍵合影響的外引線或引出端斷開。
③在鍵合界面(在已進行了鍵合的外引線、引出端和印制板或封裝基片導體間的低溫焊熔焊交界面)的大效。
④金屬化層從印制板或封裝基片上浮起。
⑤印制板或基片內部斷裂。
(3)倒裝焊結構的鍵合。
①鍵合材料或基片鍵合區的失效。
②芯片或基片破裂。
③金屬化層浮起。
破壞性引線鍵合強度試驗 QG82915GV
試驗后對于指定的試驗條件、組成和結構所要求的最小鍵合強度,若施加應力小于表4-16的規定時出現鍵合點分離則視為失效。其失效分類如下:
(1)內引線鍵合。
①在因鍵合工藝而使引線截面減小的位置上引線斷開。
②在其他位置上引線斷開。
③在引線和芯片金屬化焊點間失效。
④在封裝基片和外引線鍵合區或非芯片位置上的鍵合失效。
⑤金屬化層從芯片表面浮起。
⑥金屬化層從基片或封裝外引線鍵合區表面浮起。
⑦基片破裂。
(2)連接印制板或基片的外部鍵合。
①在變形處(受鍵合影響的部位)的外引線或引出端斷開。
②在未受鍵合影響的外引線或引出端斷開。
③在鍵合界面(在已進行了鍵合的外引線、引出端和印制板或封裝基片導體間的低溫焊熔焊交界面)的大效。
④金屬化層從印制板或封裝基片上浮起。
⑤印制板或基片內部斷裂。
(3)倒裝焊結構的鍵合。
①鍵合材料或基片鍵合區的失效。
②芯片或基片破裂。
③金屬化層浮起。
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