樣品檢查的詳細要求GAL16V8D-15QJ

   應按下述規定進行檢查。表⒋19概括了這些規定。

   1)一般金屬化層

   采用低放大倍數,在每個芯片上至少應檢查25%或6.5mm2(取小者)的一般金屬化層,以發現剝皮、翹起、空洞、小丘之類的缺陷。應對金屬化層中的每一層都進行檢查。

    (l)多層金屬和多層布線金屬互連系統。對每一層布線中淀積形成的每一層金屬都應進行檢查。應該在用合適的腐蝕液去除掉玻璃鈍化層后,對載流層進行sEM檢查。

   (2)阻擋層/附著層。可按下述兩種不同方式檢查阻擋層/附著層。

   ①作為非導體的阻擋層/附著層。若設計中由阻擋層/附著層傳導的電流不到總電流的10%,則它們只作阻擋層/附著層。因此,這種阻擋層/附著層將不參與電流密度的計算,無須要求其滿足臺階覆蓋的要求。只要求阻擋層/附著層能覆蓋住按設計需要起阻擋/附著作用的區域,承制方應提供已實現這些作用的證據。當估算金屬層臺階覆蓋百分比時,不應將阻擋層/附著層的厚度記入主要導電層的厚度中。因此,主要導電層應滿足臺階覆蓋百分比。

   ②作為導體的阻擋層/附著層。如果至少有10%的電流按設計應由該層傳導,且該層參與電流密度的計算,則應將阻擋層/附著層看作導體(考慮其層厚和相對電導率)。在這一情況下,阻擋層/附著層及主要導電層均應分別滿足所有臺階覆蓋要求。可采用SEM或光學顯微鏡檢查阻擋層/附著層。