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金屬化層從芯片上拉起

發布時間:2019/5/23 21:10:55 訪問次數:1486

   失效類別K1S321611C-FI70

   失效類別如下。應記錄獲得分離所需的應力和分離或失效的主要類別。

   (l)硅斷裂。

   (2)金屬化層從芯片上拉起。

   (3)黏結區和芯片界面的分離。

   (4)黏結區內的失效。

   (5)黏結基板界面的分離。

   (6)金屬化層從基板上拉力。

   (7)基板斷裂。

   對標硅的理解

   倒裝芯片工藝廣泛地應用于芯片與管殼/基板互連中。目前,倒裝芯片拉脫試驗普遍采用GJB548《微電子器件試驗方法和程序》方法2031“倒裝片拉脫試驗”來測量芯片與外殼/基板之間的鍵合強度。試驗中,要求拉開棒施力與芯片表面法線方向保持在5°范圍內,且拉開棒與芯片表面無沖擊,但不同的人測試同一批產品,尤其在倒裝片的芯片面積比較大時,數值偏差較大,主要是由于拉開棒與芯片表面呈一定的小角度。因此,在試驗過程中一定要保持拉開棒施力與芯片表面法線方向的垂直,以求獲得準確的測試結果。

   失效類別K1S321611C-FI70

   失效類別如下。應記錄獲得分離所需的應力和分離或失效的主要類別。

   (l)硅斷裂。

   (2)金屬化層從芯片上拉起。

   (3)黏結區和芯片界面的分離。

   (4)黏結區內的失效。

   (5)黏結基板界面的分離。

   (6)金屬化層從基板上拉力。

   (7)基板斷裂。

   對標硅的理解

   倒裝芯片工藝廣泛地應用于芯片與管殼/基板互連中。目前,倒裝芯片拉脫試驗普遍采用GJB548《微電子器件試驗方法和程序》方法2031“倒裝片拉脫試驗”來測量芯片與外殼/基板之間的鍵合強度。試驗中,要求拉開棒施力與芯片表面法線方向保持在5°范圍內,且拉開棒與芯片表面無沖擊,但不同的人測試同一批產品,尤其在倒裝片的芯片面積比較大時,數值偏差較大,主要是由于拉開棒與芯片表面呈一定的小角度。因此,在試驗過程中一定要保持拉開棒施力與芯片表面法線方向的垂直,以求獲得準確的測試結果。

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