金屬化層從芯片上拉起
發布時間:2019/5/23 21:10:55 訪問次數:1486
失效類別K1S321611C-FI70
失效類別如下。應記錄獲得分離所需的應力和分離或失效的主要類別。
(l)硅斷裂。
(2)金屬化層從芯片上拉起。
(3)黏結區和芯片界面的分離。
(4)黏結區內的失效。
(5)黏結基板界面的分離。
(6)金屬化層從基板上拉力。
(7)基板斷裂。
對標硅的理解
倒裝芯片工藝廣泛地應用于芯片與管殼/基板互連中。目前,倒裝芯片拉脫試驗普遍采用GJB548《微電子器件試驗方法和程序》方法2031“倒裝片拉脫試驗”來測量芯片與外殼/基板之間的鍵合強度。試驗中,要求拉開棒施力與芯片表面法線方向保持在5°范圍內,且拉開棒與芯片表面無沖擊,但不同的人測試同一批產品,尤其在倒裝片的芯片面積比較大時,數值偏差較大,主要是由于拉開棒與芯片表面呈一定的小角度。因此,在試驗過程中一定要保持拉開棒施力與芯片表面法線方向的垂直,以求獲得準確的測試結果。
失效類別K1S321611C-FI70
失效類別如下。應記錄獲得分離所需的應力和分離或失效的主要類別。
(l)硅斷裂。
(2)金屬化層從芯片上拉起。
(3)黏結區和芯片界面的分離。
(4)黏結區內的失效。
(5)黏結基板界面的分離。
(6)金屬化層從基板上拉力。
(7)基板斷裂。
對標硅的理解
倒裝芯片工藝廣泛地應用于芯片與管殼/基板互連中。目前,倒裝芯片拉脫試驗普遍采用GJB548《微電子器件試驗方法和程序》方法2031“倒裝片拉脫試驗”來測量芯片與外殼/基板之間的鍵合強度。試驗中,要求拉開棒施力與芯片表面法線方向保持在5°范圍內,且拉開棒與芯片表面無沖擊,但不同的人測試同一批產品,尤其在倒裝片的芯片面積比較大時,數值偏差較大,主要是由于拉開棒與芯片表面呈一定的小角度。因此,在試驗過程中一定要保持拉開棒施力與芯片表面法線方向的垂直,以求獲得準確的測試結果。
上一篇:倒裝焊拉脫夾具的選擇
上一篇:塑封器件染色滲透試驗
熱門點擊
- 標準GJB548中方法⒛01規定的恒加速度試
- 聲掃的三種主要掃描模式
- 熒光化學傳感器是近年來迅速發展起來的
- 接觸件的插入力和分離力
- 恒加速度試驗標準
- 目前單粒子效應的研究手段為地面輻照源模擬
- 斷裂強度與斷裂伸長率是考核材料機械性能的重要
- 試驗樣品前端或向前朝向離心機旋轉軸
- 滅弧裝置
- 較高級性能試驗
推薦技術資料
- 泰克新發布的DSA830
- 泰克新發布的DSA8300在一臺儀器中同時實現時域和頻域分析,DS... [詳細]