塑封器件染色滲透試驗

   1)試驗設備K1S32161CD-FI70

   試驗中使用的設備主要有燒杯等玻璃容器、攪拌器、真空泵、真空箱、過濾器(優于0127um)、烘箱、金相顯微鏡等。

   2)試驗程序

   (l)滲透液制備。滲透液的組分包括低黏度液體浸滲劑(25℃時黏度小于1tlmP'・s)、與浸滲劑配合使用的催化劑、黃色熒光粉。

   (2)排氣滲透。在燒杯中倒入足量的滲透液,將器件置入,液面應覆蓋被測器件;把燒杯放入培養皿中,以便收集抽真空過程中溢出的溶液;把一個較大的燒杯扣置在盛有溶液燒杯的上方,以防止在真空爐中溶液飛濺:把燒杯等裝置放入真空箱;打開真空泵;監控真空條件下溶液的除氣。在1,3kPa左右真空度下降開始強烈除氣。控制放氣閥,以降低真空箱內的真空度,使除氣過程中溶液不溢出;一旦除氣結束,關閉放氣閥并使壓力繼續下降;當真空度達到40~133Pa時,在此壓強下保持15min。15min后打開放氣閥,直到真空箱內壓強

與外部壓強平衡為止。將這些器件在此狀態下保持15min后,打開真空箱取出燒杯。

   (3)清洗與烘焙。從溶液中取出被試器件,用紙巾或棉條輕輕擦掉器件上多佘的溶液。然后被試器件放置在有蓋培養皿中,并把培養皿放入預熱至10O℃的烘干爐,烘焙時間為1h。

   (4)剖面分析。被試器件一般應評估長軸上的一個剖面(檢測連接條)、短軸上的三個剖面(檢查最短引線,芯片邊緣或填充料邊緣)。在剖面制作過程中由于染料顆粒在剖面上的涂抹將會出現虛假現象(在紫外光下,污斑看起來像小星光),為了避免這種錯覺,務必在樣品研磨和拋光后要進行徹底清洗。將制作好的剖面放于紫外光下拍攝剖面照片,觀察染料滲透情況,確定滲透深度。剖面分析需重點檢查的缺陷主要如下:

   (l)裂紋或其他與封裝有關的缺陷;

   (2)分層;

   (3)染料滲透到芯片黏結處或芯片表面;

  (4)在引線出口處染料滲透到超過引線端的50%;

  (5)染料滲透到超過封裝內引線長度的50%。