當帶有靜電荷的物體與非帶電導體相接觸時,帶電體會通過非帶電導體放電,這稱為靜電放電(Elcctro Statlc Disc・llae,EsD)。帶電體如果通過微電子器件來放電的,會給器件帶來靜電損傷,尋致失效。在H常I作過程中,器件會經歷不同的階段,如用塑料包裝、從絕緣包裝取出、安裝和運輸等:這些過程均可能引起靜電放電,由此可見,靜電放電(ESD)對器件造成失效及引起電路的干擾等問題.

   GAL20V8B-10LJI

   通過ESD試驗測和驗證器件及設備的抗靜電放電干擾的能力。閆前很多標準都將EsD試驗作為推薦或強制性內容納入其中:靜電放電是指帶電物體的靜電場強度超過某一極限值時,使帶電物體附近簾問的物質產生電離的一種現象,模型主要有HR・M、MM及CDM

三種靜電放電模型J對于集成電路主要是按照GJB548B-2005方法3015進行的。本方法給出了依據微電路受靜電放電(EsD)作用造成損傷和退化的敏感度對微電路進行分類的程序。分級結果可用于GJB597確定合適的包裝和操作要求,并提供符合要求的分級數據。