(l)標準測試條件:

   如無其他規定,器件應在下述條件下進行電測試:

   環境溫度:25℃±~s℃;

   相對濕度:20%~80%;

   大氣壓力:86kPa~10孤Pa。 A1280XL-CQ172M

   (2)測試時,半導體器件不應承受超過器件最大額定值的工作條件。作為預防措施,應避免引出端誤接、反接、短路,應注意防止測試設備開啟、關閉而造成的浪涌電流加到器件上。

   (3)測試反向電流很小(如nA級)的器件時,要注意保證測試夾具與測試儀器連接電路的寄生電流或外部漏流遠小于被測器件的截止電流或反向電流。當測試電流小于10nA,或者器件本身結電容比較大時,需要增加總延遲及延遲時間來測試,例如使用總延遲50ms延遲40ms,或者總延遲100ms延遲80ms,來保證器件有足夠的充電時間。

   (4)當可施加的測試條件有可能對器件產生功率耗散時,為避免器件發熱引起的測量誤差或損傷器件,應采取脈沖測試。除非另有規定,脈沖時間(轱)不大于10ms,占空比最大2%。在此范圍內,脈沖寬度必須長至足以適應試驗設備的能力和所要求的準確度,短至足以避免發熱。

    ①當測試器件電流大于10OlmA以上時,建議測試時間為:總延遲1ms延遲0,8ms。

   ②當測試器件電流大于1A以上時,建議測試時間為:總延遲0.35ms延遲0.3ms。

   ③壩刂量增強型場效應管(MOS管)的CrFs時,測試時間一定要設定為總延遲0.35ms延遲0.3ms。功率較大時,強烈建議降低電壓‰s,否則管子由于溫升太大,測試過程中極易損壞。

   ④每種器件的一般測試順序如下:

   二極管依次為:/F、BVR、fR;

   三極管依次為:ConTc吼、乃FE、擊穿類、漏流類、飽和類;

   可控硅依次為:凡T、吒T、其他參數;

   增強型場效應管:進行測試CFs后需重測一些基本參數,以保證器件無損壞,/Gsltll)、丿l]ss、BVDss、rDss、RDs(。lll、GFS、呢sc⑴、JGss。

    (5)一般測試系統中進行擊穿類參數測試設定時,通常都需要進行擊穿最大值電壓的設定,如果不需要測試器件的實際擊穿電壓值,此設定值比測試結果的最小值稍大即可,建議比最小值大10%,如果要求必須測出器件被擊穿時的具體電壓值,這時候需設定此值比本批器件的最大電壓稍大些即可。