近來，中國大陸在存儲器領域的發展再次火熱起來，其中最引人關注的是合肥方面的動作。據稱，合肥相關方面投資的合肥長鑫公司將投入約500億元，在合肥打造月產能12.5萬片的12英寸晶圓廠晶圓生產線。另有消息稱，北京兆易創新也將加入該項計劃。盡管事后兆易創新發布澄清說明，稱目前僅處于初期接觸階段。但這些信息也說明了合肥正在盡力形成一個存儲器產業的發展聚集地。

另外，中國其他兩個存儲力量的動作也不小。紫光集團/長江存儲董事長趙偉國日前透露，由紫光參與投資總額達240億美元的武漢存儲器芯片基地不久即將開工，預計2018年建設完成，月產能約20萬片，到2020年基地總產能將達30萬片/月、2030年達到100萬片/月，成為世界級存儲器生產基地。

福建晉華集成則與聯電簽訂技術合作協定，由聯電協助其生產利基型DRAM。目前新建的12英寸廠房已經動工，初步產能規劃每月6萬片，估計2017年年底完成技術開發，2018年9月試產。

存儲器國產替代已經成型。長期以來，我國存儲市場幾乎被 EMC、戴爾、IBM、日立、富士通等外資品牌所壟斷。但隨著國內廠商存儲器技術的逐漸成熟，外資品牌的技術壁壘被打破，國產品牌開始迅速壯大。目前我國外部存儲器市場上國產品牌已經占據約 60%的市場份額。其中，華為目前排名第一，市場占有率約為20%，Dell EMC 排名第二，市占率 14%，第三到六名分別是海康威視、IBM、曙光和浪潮。除此之外，主要的國內廠商還包括：大華股份、同有科技、宇視科技、宏杉科技、聯想、神州數碼網絡和中興。

專利與人才是重要挑戰

盡管中國大陸在發展存儲器產業的道路上已經邁出第一步，然而未來的前景尚不好預測。首先，在市場方面，根據最新的DRAMeXchange數據，受到智能手機加載內存容量需不斷增長的影響，第三季度移動式內存總產值達45.88億美元，季增16.8%。DRAMeXchange研究協理吳雅婷預計今年第四季度移動式內存在DRAM總營收占比中仍將持續擴大。

在NAND閃存方面，同樣受到智能手機需求影響，第三季度NAND閃存開始漲價，使得NAND廠商營收季度增長19.6%，營業利潤率環比大幅增加。DRAMeXchange研究協理楊文得表示，第四季度各類電子終端設備的出貨量將進入年度高峰期，預估整體NAND閃存將呈供不應求的狀況，NAND閃存的合約價格漲幅將會更高。也就是說，受移動市場的帶動，內存市場有望在較長時間內保持旺盛需求。而未來在云計算大數據的驅動下，數據中心建設發展方興未艾，對存儲器的需求將會持續增加。這對中國存儲產業的發展是一個利好。

存儲器芯片領域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內的信息就流失了，例如 DRAM，電腦中的內存條。非易失性：斷電以后，存儲器內的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應用于代碼存儲介質中，而 NAND 則用于數據存儲。在整個存儲器芯片里面，主要有的三種產品是：DRAM、NOR FLASH 和 Nand FLASH。

2016年第一季度 Nand FLASH 市場結構

   DRAM市場上主要由三星、海力士和美光三大巨頭壟斷，占比達到 90%以上。從 Nand FLASH 市場來講，2016 年第一季度，三星占了 35.1%，所占市場份額很大。整個存儲器芯片里面，三星所占市場份額是最大的，目前在市場上主導地位的是閃存（flash memory）。當工藝線寬小于 16nm 的時候，傳統閃存面臨著一定的物理極限。主要的問題：1、可靠性問題。工藝線寬尺寸小于 16nm 時，厚度逐漸下降，可靠性存在問題，可靠性限制了存儲器單層的厚度。2、當然那還有構造問題。3、擦寫速度慢。4、有效的擦寫次數。

傳統閃存繼續發展面臨的技術瓶頸

   三星

   2008年基于90nm工藝制備512Mb相變存儲器芯片； 2011年基于58nm工藝制備1Gb相變存儲器芯片；2012 年基于 20nm 工藝制備 8Gb 相變存儲器芯片；2014 年發布相變存儲器的產業報告。

三星在相變存儲器領域的布局

   美光

   2009 年基于 45nm 工藝制備1Gb 相變存儲器芯片； 2011 年發布第一款基于相變存儲器的 SSD；2013 年基于 45nm 工藝 1Gb 相變存儲器芯片實現量產；2015 年聯合 Intel發布 3D Xpoint。