Z840006PSC器大都采用400 Hz或更高頻率(5500~6 000 Hz)的電源系統。

反饋磁放大器,為了提高磁放大器的放大系數,常常從減少控制信號功率上著手,也就是采用正反饋的方法,把磁放大器的輸出量回輸到輸入端來增強控制信號的作用。這種磁放大器稱為反饋磁放大器。

反饋磁放大器的線路,磁放大器的反饋是很容易實現的,只要在磁放大器的兩個鐵心上安置專門的反饋繞組uf即可。這種具有專門反饋繞組的普通磁放大器稱為反饋磁放大器。反饋磁放大器的基本線路如圖5-12所示。根據接線可以分為串聯反饋和并聯反饋二種:

串聯反饋一將負載電流經整流后直接串聯引入反饋繞組Wu這時反饋繞組與二個工作繞組Wg是串聯連接的。這種反饋方式也可稱為電流反饋。如圖5-12(a)所示的線路。

并聯反饋―將負載上的電壓信號經整流后輸入到反饋繞組″f,這時反饋繞組與二個串聯的工作繞組是并聯連接的。這種反饋方式也可稱為電壓反饋,如圖5-12(b)所示的線路。

反饋磁放大器的接線圖(a)串聯反饋;(b)并聯反饋。

由圖5-12可知,磁放大器的串聯反饋或并聯反饋都是將輸出的電流或電壓信號經整流以后,引入到反饋繞組對鐵心激磁的。為了使反饋繞組激磁的磁通Φf與控制繞組所產生的磁通Φk方向一致,增強控制信號的作用,反饋繞組接線的極性應當與控制繞組一致,才是正反饋。

圖5-13是標有極性的原理接線圖。

兩種線路以串聯反饋的線路應用得最多。在應用并聯反饋線路時,在反饋回路中應接入一附加電阻以降低磁放大器的時間常數。

標有極性的原理接線圖(a)串聯反饋;(b)并聯反饋。

反饋磁放大器的輸入輸出特性,對于一個串聯反饋磁放大器的輸入輸出特性可以表示為

rkuk=rgu|                  (5-14)

式中  Kf―反饋系數,Kf=rf″f/rg″g’在串聯反饋時有ff=rg,所以Kf=uf/wg(uf為反饋繞組的匝數);

r′gO―無反饋時普通磁放大器的空載電流。

通過作圖法,可求得由式(5-14)所表示的在不同的凡值時,反饋磁放大器輸入輸出特性曲線如圖5-14所示。

由圖可見,反饋磁放大器的輸入輸出特性曲線對縱軸是不對稱的;它的空載電流比無反饋時(Kf=0)大,且凡越大,空載電流也越大。這是因為空載電流通過了反饋繞組,使得在外加控制電流rk=o時,輸出電流rgO增大了。

此外,反饋磁放大器的輸入輸出特性可以分為三段:

飽和區一改變信號的大小,輸出電流基本不變;

正反饋區―這是正常工作的范圍,比無反饋時特性曲線的斜率(陡度)增大,提高了放大系數。

隨著Kf在小于1的范圍內增大,曲線變得越來越陡,放大系數也越來越大。當凡≥1時,磁放大器已失去,反饋磁放大器輸入輸出特性放大特性而表現出一種“繼電器”特性,這時的反饋磁放大器變成了磁繼電器,不在此研究之列。

負反饋區―當控制信號改變極性以后,反饋磁放大器進入負反饋區特性曲線.

變為低電平,且一直穩定地輸出低電平。觸發翻轉后會一直保持.有記憶功能,可作為一般的存儲器或計數器。雙穩態電路有觸發電路、施密特觸發電路。

無穩態電路主要是多諧振蕩器電路。多渚振蕩器可以由三極管構成,也可以用555或者通用門電路等來構成。多諧振蕩電路可分為直接反饋型、間接反饋型、無穩型VCD。

數字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導體芯片上而制成的數字邏輯電路或系統。根據數字集成電路中包含的門電路或元器件數量,可將數字集成電路分為小規模集成電路、中規模集成電路、大規模集成電路、超大規模集成電路和特大規模集成電路。

門電路 門電路是實現一定邏輯關系的電路,是組成數字電路的基本單元,常用門電路如表9-4所示。在實際應用中,廣泛使用的是TTL和CMOS集成電路。

常用TTL集成電路.或非門有74LSO2、74LS27、74LS54、74LS55等,與非門有7虬S00、74LS10、74LS20、74LS30等。集電極開路與非門電路有74LSO1、74LS03、74LS12等。

部分常用的TTL與CMOS集成電路CMOS集成電路,如表9-5所示。