LQW18AN7N5C00D于制造工藝和電路功能的不同,有些BJT的b值可能小于10,如橫向PNP管,有些則可能高達數千,如超b管。

共基極交流電流放大系數α定義為

a=-Δic/ΔiE ucb=常數 (4.1,14)

同樣,在輸出特性曲線較平坦,各曲線間距相等的條件下,可認為α≈a。

極間反向電流，集電極一基極反向飽和電流icbo。

如前所述,icbo是集電結加上一定的反偏電壓時,集電區和基區的平衡少子各自向對方漂移形成的反向電流。它實際上和單個PN結的反向電流是一樣的,因此,它只決定于溫度和少數載流子的濃度。在一定溫度下,這個反向電流基本上是個常數,所以稱為反向飽和電流。一般icbo的值很小,小功率硅管的icbo小于1uA,而小功率鍺管的icbo約為10uA。因icbo是隨溫度增加而增加的,因此在溫度變化范圍大的工作環境應選用硅管.

測量icbo的電路如圖4.1.13所示。

集電極一發射極反向飽和電流iceo。

iceo是基極開路時,由集電區穿過基區流向發射區的反向飽和電流。測量rcEo的電路如圖4.1.14所示。如前所述,icEo=(1+b)icbo。

選用BJT時,一般希望極間反向飽和電流盡量小些,以減小溫度對BJT性能的影響。小功率硅管的JcEo在幾微安以下,小功率鍺管的JcEo約在幾十微安以上。

極限參數,集電極最大允許電流fcM,前已指出,當jc過大時,b值將下降。b值下降到一定值時的Jc即為fcM。當工作電流jc大于IcM時,BJT不一定會燒壞,但`值將過小,放大能力太差。

集電極最大允許耗散功率icM,BJT內的兩個PN結上都會消耗功率,其大小分別等于流過結的電流與結上電壓降的乘積。一般情況下,集電結上的電壓降遠大于發射結上的電壓降,因此與發射結相比,集電結上耗散的功率Pc要大得多。這個功率將使集電結發熱,結溫上升,當結溫超過最高工作溫度(硅管為150℃,鍺管為70℃)時,BJT性能下降,甚至會燒壞。為此,Pc(≈icucE)值將受到限制,不得超過最大允許耗散功率PcM值。

PcM的大小與允許的最高結溫、環境溫度及管子的散熱方式有關。由給定的PcM值(對于確定型號的BJT,PcM是一個確定值),可以在BJT的輸出特性曲線中畫出允許的最大功率損耗線,如圖4.1.15所示,線上各點均滿足icucE=PcM的條件。

BJT的功率極限損耗線,反向擊穿電壓,當BJT內的兩個PN結上承受的反向電壓超過規定值時,也會發生擊穿,其擊穿原理和二極管類似,但BJT的反向擊穿電壓不僅與管子自身的特性有關,而且還取決于外部電路的接法。下面分別加以介紹:

v(bR)Ebo是指集電極開路時,發射極一基極間的反向擊穿電壓。在正常放大狀態時,發射結是正偏的。而在某些場合,例如工作在大信號或者開關狀態時,發射結上就有可能出現較大的反向電壓,所以要考慮發射結反向擊穿電壓的大小。小功率管的v(bR)Ebo一般為幾伏。

v(bR)cbo是指發射極開路時集電極一基極間的反向擊穿電壓,它決定于集電結的雪崩擊穿電壓,其數值較高,通常為幾十伏,有些管子可達幾百伏。

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在4.6節和5.5節分別介紹了用Verilog描述組合電路和觸發器的方法,本節將在前幾節的理論和實踐基礎上討論時序電路的描述方法。

組合電路可以在邏輯門級通過調用內置的邏輯門元件進行描述,也可以使用數據流描述語句和行為級描述語句進行描述,而觸發器通常使用行為級描述語句進行描述。由于時序邏輯電路通常由觸發器和邏輯門構成,所以可以將數據流描述語句和行為級描述語句結合起來對它的邏輯功能(即行為)進行描述。下面通過幾個例子進行介紹。

移位寄存器的Verilog建模,例6.6.1通過行為級描述語句always描述了一個4位雙向移位寄存器,它有兩個選擇輸入端、兩個串行數據輸人端、4個并行數據輸入端和4個并行輸出端,完成的功能與圖6.5.7所示74HCT194類似。它有5種功能:異步置零、同步置數、左移、右移和保持原狀態不變。當清零信號CR跳變到低電平時,寄存器的輸出被異步置零;否則,當CR=1時,與時鐘信號有關的4種功能由case語句中的兩個選擇輸人信號s1、sO決定(在case后面S1、SO被拼接成2位矢量)。移位由串行輸入和3個觸發器的輸出拼接起來進行描述.