ST902I阻抗射極跟隨器
發布時間:2019/11/9 21:50:54 訪問次數:1443
ST902IiD6存在下列關系
iref+ids-ysc5-yDD/RREF+yss+/Gs5/RRE1 (6.4.1)
和rREF=KP5(7Gs5-vdd)2 (6.4.2)
設T1~T2的|us|=0.5v,各管的W/L(寬長比)和參數如表6.4.1所示,RREI=225 kΩ。將式(6.4.1)和式(6,4.2)聯解,可得
7cs5=-1V (即ysG5=1Ⅴ)
表6.4.1 T1~T:的W/L和各參數值
因此由式(6.4.1)可求出
iref=id6=(10-1)v/225kΩ=40ua
故有
fD1=rD2=rD3=JD4=rD6=20uA
考慮到T5、T6、T7的參數相同,即得
rD=fREF=rD7=40uA
從T7的寬長比是T3和T4的2倍,也證明T7的電流應是T3、T4電流的2倍。
小信號分析,求輸人級的電壓增益Av1,輸人級的差模小信號為ogs1=-h,Vgs2=+ui。由于源極耦合差分放大輸入級與圖6.2.8的電路原理相同,故由式(6.2.22)可直接寫出T2的輸出電壓ui2(即T7的輸入電壓rgs7)為
yi2=gs=[gm1(-thd/2)-gm2(+%d/2)](ro2‖ro4)
=-gm2od(rds2||ro4) (6.4.3)
輸人級差分電路是對稱的,式中gm1=gm2,故輸入級的電壓增益由式
為(提示:u=gmrds)
au=-u[rds+(1+u)R1]/2rde+(1+u)(r1+R2)
輸出電導為
go=1/ro=1/rds+(1+u)r1+1/rds+(1+u)r2
如果R1=R2=r試求au和Ro。
圖題5.5.3為一帶自舉電路的高輸人阻抗射極跟隨器。試定性說明:(1)電壓增益接近1;(2)如圖所示,通過C3引人自舉可減少漏柵電容對輸人阻抗的影響;(3)通過C2引人自舉大大提高了放大器的輸人電阻。
電路如圖題5.5.4所示,設FET的互導為gm,rds很大;BJT的電流放大系數為vDD.
把整個電路中的元器件制作在一塊硅基片上,構成特定功能的電子電路,稱為集成電路(IC)①。它的體積小,而性能卻很好。集成電路按其功能來分,有數字集成電路和模擬集成電路。模擬集成電路種類繁多,有運算放大器、寬頻帶放大器、功率放大器、模擬乘法器、模擬鎖相環、模一數和數一模轉換器、穩壓電源和音像設備中常用的其他模擬集成電路等。模擬集成電路是本章的主干內容。它是集成電路設計與制造工藝不斷發展的成果。
本章首先討論模擬集成電路中普遍使用的直流偏置技術,即用集成工藝制造的BJT或FET的各種電流源。電流源除可為電路提供穩定的直流偏置外,還可作放大電路的有源負載以獲得高增益。
其次,模擬集成電路的另一組成單元是用BJT和FET組成的差分式放大電路,將重點討論其工作原理和主要技術指標的計算。接著分析兩種集成運放的買際電路,介紹集成運放的技術參數。隨后,對變跨導模擬乘法器及其應用也作簡要的討論。最后,對放大電路中的噪聲和干擾的來源及其抑制措施作簡要的介紹。
IC系Integrated Circuits的縮寫。
ST902IiD6存在下列關系
iref+ids-ysc5-yDD/RREF+yss+/Gs5/RRE1 (6.4.1)
和rREF=KP5(7Gs5-vdd)2 (6.4.2)
設T1~T2的|us|=0.5v,各管的W/L(寬長比)和參數如表6.4.1所示,RREI=225 kΩ。將式(6.4.1)和式(6,4.2)聯解,可得
7cs5=-1V (即ysG5=1Ⅴ)
表6.4.1 T1~T:的W/L和各參數值
因此由式(6.4.1)可求出
iref=id6=(10-1)v/225kΩ=40ua
故有
fD1=rD2=rD3=JD4=rD6=20uA
考慮到T5、T6、T7的參數相同,即得
rD=fREF=rD7=40uA
從T7的寬長比是T3和T4的2倍,也證明T7的電流應是T3、T4電流的2倍。
小信號分析,求輸人級的電壓增益Av1,輸人級的差模小信號為ogs1=-h,Vgs2=+ui。由于源極耦合差分放大輸入級與圖6.2.8的電路原理相同,故由式(6.2.22)可直接寫出T2的輸出電壓ui2(即T7的輸入電壓rgs7)為
yi2=gs=[gm1(-thd/2)-gm2(+%d/2)](ro2‖ro4)
=-gm2od(rds2||ro4) (6.4.3)
輸人級差分電路是對稱的,式中gm1=gm2,故輸入級的電壓增益由式
為(提示:u=gmrds)
au=-u[rds+(1+u)R1]/2rde+(1+u)(r1+R2)
輸出電導為
go=1/ro=1/rds+(1+u)r1+1/rds+(1+u)r2
如果R1=R2=r試求au和Ro。
圖題5.5.3為一帶自舉電路的高輸人阻抗射極跟隨器。試定性說明:(1)電壓增益接近1;(2)如圖所示,通過C3引人自舉可減少漏柵電容對輸人阻抗的影響;(3)通過C2引人自舉大大提高了放大器的輸人電阻。
電路如圖題5.5.4所示,設FET的互導為gm,rds很大;BJT的電流放大系數為vDD.
把整個電路中的元器件制作在一塊硅基片上,構成特定功能的電子電路,稱為集成電路(IC)①。它的體積小,而性能卻很好。集成電路按其功能來分,有數字集成電路和模擬集成電路。模擬集成電路種類繁多,有運算放大器、寬頻帶放大器、功率放大器、模擬乘法器、模擬鎖相環、模一數和數一模轉換器、穩壓電源和音像設備中常用的其他模擬集成電路等。模擬集成電路是本章的主干內容。它是集成電路設計與制造工藝不斷發展的成果。
本章首先討論模擬集成電路中普遍使用的直流偏置技術,即用集成工藝制造的BJT或FET的各種電流源。電流源除可為電路提供穩定的直流偏置外,還可作放大電路的有源負載以獲得高增益。
其次,模擬集成電路的另一組成單元是用BJT和FET組成的差分式放大電路,將重點討論其工作原理和主要技術指標的計算。接著分析兩種集成運放的買際電路,介紹集成運放的技術參數。隨后,對變跨導模擬乘法器及其應用也作簡要的討論。最后,對放大電路中的噪聲和干擾的來源及其抑制措施作簡要的介紹。
IC系Integrated Circuits的縮寫。