P0603H1211FB串聯諧振頻率的等效電阻
發布時間:2020/2/6 12:26:43 訪問次數:1049
P0603H1211FB靜電容 是指等效電路中與串聯臂并接的電容,稱為并電容.通常用C0表示。
負載電容 晶振相當于電感.組成振蕩電路時需配接外部電容即負載電容。負載電容是與晶體一起決定負載諧振頻率y・L的有效外界電容.通常用CL表示。
在應用晶體時,負載電容(CL)的值,才能使振蕩頻率符合晶振的。 常見的負載電容為8pF、12pF、15pF、20pF、30pF、5opF、100pF.推薦負載電容為10pF、20pF、30pF、 50pF、 100pF。
負載諧振頻率FI'是指在規定條件下,晶體與一負載電容串聯或并聯,其組合阻抗呈現為阻性時的兩個頻率中的一個頻率。
在串聯負載電容時,fL是兩個頻率中較低的一個;在并聯負載電容時,fL則是兩個頻率申較高的一個。
動態電阻R1 是指串聯諧振頻率下的等效電阻,用幾表示。
負載諧振電阻 是指在負載諧振頻率時呈現的等效電阻,用R1'表示。
通常情況下:RL=Ri(1△C:/cL)/2。
激勵電平 是指晶振工作時消耗的有效功率。在振蕩回路中,激勵電平應大小適中,既不能過激勵,也不能欠激勵50\/、 20VV、 1 0VV、 1VV、 0.1VV l等。
石英晶體振蕩器,陶瓷諧振元器件,它是利用壓電陶瓷、鈮酸鋰、石英等晶體材料的壓電效應和聲表面波傳播的物理特性制成的一種換能式無源帶通濾波器.主要用于電視機和錄像機的中頻輸入電路中作選頻元件,取代了中頻放電器的輸人吸收回路和多級調諧回路。聲表面波濾波器的外形與符號如圖12-5所示。
圖12-5 聲表面波濾波器的外形與符號,當晶體受到應力作用時,在它的某些特定表面上將出現電荷,而且應力大小與電荷密度之間存在著線性關系,這是正壓電效應;當晶體受到電場作用時,在它的某些特定方向上將出現應力變化.而且電場強度與應力變化之間存在著線性關系,這是逆壓電效應。
聲表面波濾波器的特點如下。
頻率響應平坦,不平坦度僅為±0.3~±0.5dB,群時延±30~±50ns。
SAWF矩形系數好,帶外抑制可達40dB以上。
插人損耗雖高達25~30dB,但可以用放大器補償電平損失。
聲表面波濾波器體積小,重量輕,性能可靠,不需要復雜調整。
聲表面波濾波器具有選頻特性,其特性取決于叉指換能器電極的形狀、間距|(交叉長度和電極數目等。
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
P0603H1211FB靜電容 是指等效電路中與串聯臂并接的電容,稱為并電容.通常用C0表示。
負載電容 晶振相當于電感.組成振蕩電路時需配接外部電容即負載電容。負載電容是與晶體一起決定負載諧振頻率y・L的有效外界電容.通常用CL表示。
在應用晶體時,負載電容(CL)的值,才能使振蕩頻率符合晶振的。 常見的負載電容為8pF、12pF、15pF、20pF、30pF、5opF、100pF.推薦負載電容為10pF、20pF、30pF、 50pF、 100pF。
負載諧振頻率FI'是指在規定條件下,晶體與一負載電容串聯或并聯,其組合阻抗呈現為阻性時的兩個頻率中的一個頻率。
在串聯負載電容時,fL是兩個頻率中較低的一個;在并聯負載電容時,fL則是兩個頻率申較高的一個。
動態電阻R1 是指串聯諧振頻率下的等效電阻,用幾表示。
負載諧振電阻 是指在負載諧振頻率時呈現的等效電阻,用R1'表示。
通常情況下:RL=Ri(1△C:/cL)/2。
激勵電平 是指晶振工作時消耗的有效功率。在振蕩回路中,激勵電平應大小適中,既不能過激勵,也不能欠激勵50\/、 20VV、 1 0VV、 1VV、 0.1VV l等。
石英晶體振蕩器,陶瓷諧振元器件,它是利用壓電陶瓷、鈮酸鋰、石英等晶體材料的壓電效應和聲表面波傳播的物理特性制成的一種換能式無源帶通濾波器.主要用于電視機和錄像機的中頻輸入電路中作選頻元件,取代了中頻放電器的輸人吸收回路和多級調諧回路。聲表面波濾波器的外形與符號如圖12-5所示。
圖12-5 聲表面波濾波器的外形與符號,當晶體受到應力作用時,在它的某些特定表面上將出現電荷,而且應力大小與電荷密度之間存在著線性關系,這是正壓電效應;當晶體受到電場作用時,在它的某些特定方向上將出現應力變化.而且電場強度與應力變化之間存在著線性關系,這是逆壓電效應。
聲表面波濾波器的特點如下。
頻率響應平坦,不平坦度僅為±0.3~±0.5dB,群時延±30~±50ns。
SAWF矩形系數好,帶外抑制可達40dB以上。
插人損耗雖高達25~30dB,但可以用放大器補償電平損失。
聲表面波濾波器體積小,重量輕,性能可靠,不需要復雜調整。
聲表面波濾波器具有選頻特性,其特性取決于叉指換能器電極的形狀、間距|(交叉長度和電極數目等。
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