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BM1430 漏極電流與漏源電壓之間的關系

發布時間:2020/1/5 17:01:57 訪問次數:6035

BM1430轉移特性曲線,在場效應管漏源電壓保持不變的情況下,從圖8-4中可以得出以下結論:柵源電壓UGs=0時,漏極電流D=Dss。柵源電壓UGs向負值方向變化時,漏極電流ID逐漸減小。柵源電壓UGs=UP時,漏極電流JD=0。

rDss稱為飽和漏極電流,UP稱為夾斷電壓。輸出特性曲線 輸出特性曲線是表示在柵源電壓一定條件下,漏極電流與漏源電壓之間的關系,如圖8-5所示。

電阻區、放大擊穿區、截止區。

由場效應管組成的放大電路中,場效應管必須工作在放大區,即必須采用合適的直流電流將其工作點(UDs,rD)設置于輸出特性曲線的放大區或恒流區,且保持穩定。與三極管放大電路相類似,場效應管放大電路有共源、共漏、共柵二種接法。

絕緣柵型場效應管,絕緣柵場效應管是一種柵極與源極、漏極之間有絕緣層的場效應管,簡稱MOS管。絕緣柵場效應管也有N溝道型及P溝道型兩種結構形式。無論是N溝道型或P溝道型,都有增強型和耗盡型兩種。

N溝道增強型絕緣柵場效應管 以P型硅片作為襯底.其間擴散兩個高摻雜的N・區并引出兩個電極,作為源極S和漏級D。制作場效應管時先在半導體上制作Sio2絕緣層,之后在Sio2上制作一層金屬鋁,引出電極作為柵極G,此時的P型半導體稱為襯底B。N溝道增強型絕緣柵場效應管的結構及符號如圖8-6所示,N溝道增強型絕緣柵場效應管的結構及符號,場效應管可看作一個受柵源電壓控制的,可當yDs增劇增,出現電擊穿。如果對此不加限制,將損壞場效應管。不允許場效應管工作在這個區域,rD-IV恒流區場效應管,在恒流區具有線性放大作用,-2V截止區-41柵極P襯底.


緣柵型場效應管的特點是輸入電阻高,噪聲小。在通常情況下.源極一般都是與襯底相連.即Us=0。為保證N溝道增強型MOs管正常工作,應達到如下條件。

UGs=0時,漏源之間是相當于兩只背靠背的PN結,不論UDs極性.兩個PN結中總有一個PN結反偏,即不存在尋電溝道。LIGs必須大于0(UGs>0),場效應管才能工作。

漏極對源極的電壓UDs必須為正值(UDs)0)。在漏極電壓作用下,源區電子沿導電溝道行進到漏區,產生自漏極流向源極的電流。

N溝道增強型絕緣柵場效應管的工作原理,當UGs=0,在漏、源極之問加正向電壓UDs時.漏源極之P襯底MoSFET是利用柵源電壓的大小,來改變半導體表面感生電荷的多少,從而控制漏極電流的大小。N溝道增強型絕緣柵場效應管的工作原理.


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BM1430轉移特性曲線,在場效應管漏源電壓保持不變的情況下,從圖8-4中可以得出以下結論:柵源電壓UGs=0時,漏極電流D=Dss。柵源電壓UGs向負值方向變化時,漏極電流ID逐漸減小。柵源電壓UGs=UP時,漏極電流JD=0。

rDss稱為飽和漏極電流,UP稱為夾斷電壓。輸出特性曲線 輸出特性曲線是表示在柵源電壓一定條件下,漏極電流與漏源電壓之間的關系,如圖8-5所示。

電阻區、放大擊穿區、截止區。

由場效應管組成的放大電路中,場效應管必須工作在放大區,即必須采用合適的直流電流將其工作點(UDs,rD)設置于輸出特性曲線的放大區或恒流區,且保持穩定。與三極管放大電路相類似,場效應管放大電路有共源、共漏、共柵二種接法。

絕緣柵型場效應管,絕緣柵場效應管是一種柵極與源極、漏極之間有絕緣層的場效應管,簡稱MOS管。絕緣柵場效應管也有N溝道型及P溝道型兩種結構形式。無論是N溝道型或P溝道型,都有增強型和耗盡型兩種。

N溝道增強型絕緣柵場效應管 以P型硅片作為襯底.其間擴散兩個高摻雜的N・區并引出兩個電極,作為源極S和漏級D。制作場效應管時先在半導體上制作Sio2絕緣層,之后在Sio2上制作一層金屬鋁,引出電極作為柵極G,此時的P型半導體稱為襯底B。N溝道增強型絕緣柵場效應管的結構及符號如圖8-6所示,N溝道增強型絕緣柵場效應管的結構及符號,場效應管可看作一個受柵源電壓控制的,可當yDs增劇增,出現電擊穿。如果對此不加限制,將損壞場效應管。不允許場效應管工作在這個區域,rD-IV恒流區場效應管,在恒流區具有線性放大作用,-2V截止區-41柵極P襯底.


緣柵型場效應管的特點是輸入電阻高,噪聲小。在通常情況下.源極一般都是與襯底相連.即Us=0。為保證N溝道增強型MOs管正常工作,應達到如下條件。

UGs=0時,漏源之間是相當于兩只背靠背的PN結,不論UDs極性.兩個PN結中總有一個PN結反偏,即不存在尋電溝道。LIGs必須大于0(UGs>0),場效應管才能工作。

漏極對源極的電壓UDs必須為正值(UDs)0)。在漏極電壓作用下,源區電子沿導電溝道行進到漏區,產生自漏極流向源極的電流。

N溝道增強型絕緣柵場效應管的工作原理,當UGs=0,在漏、源極之問加正向電壓UDs時.漏源極之P襯底MoSFET是利用柵源電壓的大小,來改變半導體表面感生電荷的多少,從而控制漏極電流的大小。N溝道增強型絕緣柵場效應管的工作原理.


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