XRD4411AID 控制邏輯電路自動屏蔽輸出信號
發布時間:2020/2/10 20:00:07 訪問次數:923
A-B≥0的情況。設A=0101,B=0001。
求補相加演算過程如下:
個(借位)直接作減法演算,則有比較兩種運算結果,它們完的原碼,借位信號為0。
A-B(0的情況。設A求補相加演算過程如下:
(借位)直接作減法演算,則有表示行變全相同。在A-B≥0時,所得的差值就是差(進位反相)式輸出,則成輸出為原異或門的,一地址碼讀寫控制邏輯叢發控邏輯,寫地址寄存器輸出放大輸入驅動時式讀寫。讀/寫控制信號WE低電平為寫操作,高電平為讀操作。
數據選擇器叢發,便能為D7三態輸出緩沖器片,選CE數據輸入/輸出f/o輸出使oE能圖7.2.5 ssRAM的基本結構.
讀操作時,控制信號和地址輸人在CP的上升沿被取樣,當叢發使能控制ADy和片選CE為低電平時,地址線上的地址被鎖存到地址寄存器中,高電平的WE也被寄存到讀寫控制邏輯電路中。此時,讀寫控制邏輯電路使數據選擇器選擇地址寄存器中的地址進行譯碼,在下一個CP有效沿到來前,存儲陣列中的數據被送到數據線f/o上輸出。操作過程如圖7.2.6(a)所示。
寫操作與讀操作類似,只是被取樣的WE為低電平。而輸人的數據在接下來的CP上升沿鎖存到輸人寄存器中,同時地址寄存器中的地址又傳至寫地址寄存器中。此時,讀寫控制邏輯電路使數據選擇器選擇寫地址寄存器中的地址進行譯碼,在輸入驅動電路的作用下,將輸人寄存器中的數據寫人存儲陣列。寫操作時,讀寫控制邏輯電路將自動屏蔽輸出使能信號oE,使三態輸出緩沖器呈現高阻態。操作過程如圖7.2.6(a)所示。
叢發模式讀寫操作是sSRAM中特有的①。當叢發使能控制且D/為低電平時,A1A。可直接穿過叢發控制邏輯電路,按外部給定的地址進行讀/寫,此時就是上述的一般讀寫操作。但當叢發使能控制ADy為高電平時,地址寄存器不接收外部新地址而保持上一個時鐘周期輸人的地址,在CP下一個上升沿到隨視存取存儲器.不僅SSRAM中有叢發模式,而且sDRAM中也有該模式。
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A-B≥0的情況。設A=0101,B=0001。
求補相加演算過程如下:
個(借位)直接作減法演算,則有比較兩種運算結果,它們完的原碼,借位信號為0。
A-B(0的情況。設A求補相加演算過程如下:
(借位)直接作減法演算,則有表示行變全相同。在A-B≥0時,所得的差值就是差(進位反相)式輸出,則成輸出為原異或門的,一地址碼讀寫控制邏輯叢發控邏輯,寫地址寄存器輸出放大輸入驅動時式讀寫。讀/寫控制信號WE低電平為寫操作,高電平為讀操作。
數據選擇器叢發,便能為D7三態輸出緩沖器片,選CE數據輸入/輸出f/o輸出使oE能圖7.2.5 ssRAM的基本結構.
讀操作時,控制信號和地址輸人在CP的上升沿被取樣,當叢發使能控制ADy和片選CE為低電平時,地址線上的地址被鎖存到地址寄存器中,高電平的WE也被寄存到讀寫控制邏輯電路中。此時,讀寫控制邏輯電路使數據選擇器選擇地址寄存器中的地址進行譯碼,在下一個CP有效沿到來前,存儲陣列中的數據被送到數據線f/o上輸出。操作過程如圖7.2.6(a)所示。
寫操作與讀操作類似,只是被取樣的WE為低電平。而輸人的數據在接下來的CP上升沿鎖存到輸人寄存器中,同時地址寄存器中的地址又傳至寫地址寄存器中。此時,讀寫控制邏輯電路使數據選擇器選擇寫地址寄存器中的地址進行譯碼,在輸入驅動電路的作用下,將輸人寄存器中的數據寫人存儲陣列。寫操作時,讀寫控制邏輯電路將自動屏蔽輸出使能信號oE,使三態輸出緩沖器呈現高阻態。操作過程如圖7.2.6(a)所示。
叢發模式讀寫操作是sSRAM中特有的①。當叢發使能控制且D/為低電平時,A1A。可直接穿過叢發控制邏輯電路,按外部給定的地址進行讀/寫,此時就是上述的一般讀寫操作。但當叢發使能控制ADy為高電平時,地址寄存器不接收外部新地址而保持上一個時鐘周期輸人的地址,在CP下一個上升沿到隨視存取存儲器.不僅SSRAM中有叢發模式,而且sDRAM中也有該模式。
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