離散信號經過濾波器的時延
發布時間:2020/3/30 20:21:22 訪問次數:2800
W25Q256FVEIM品牌：Winbond封裝：WSON-8標準包裝：6300包裝：管件封裝/規格：WSON-8 6*8溫度范圍：-40℃~85℃系列：W25Q256FV系列格式-存儲器：Flash存儲類型：SpiFlash®存儲容量：256MBit 32MByte速度：104MHZ接口：SPI串行電源電壓：2.7v~3.6v
微波濾波器的設計指標主要包括:
絕對衰減(Absoluteattenuation):阻帶中最大衰減(dB)。
帶寬(Bandwidth):通帶的3dB帶寬(flow-fhigh)。
中心頻率:fc或f0。http://wydkj.51dzw.com/
截止頻率。下降沿3dB點頻率。
每倍頻程衰減(dB/Octave):離開截止頻率一個倍頻程衰減(dB)。
微分時延(differentialdelay):兩特定頻率點群時延之差以ns計。
群時延(Groupdelay):任何離散信號經過濾波器的時延(ns)。
插入損耗(insertionloss):當濾波器與設計要求的負載連接，通帶中心衰減，dB。
帶內波紋(passbandripple):在通帶內幅度波動，以dB計。
相移(phaseshift):當信號經過濾波器引起的相移。
品質因數Q(qualityfactor):中心頻率與3dB帶寬之比。
止帶(stopband或rejectband):對于低通、高通、帶通濾波器，指衰減到指定點(如60dB點)的帶寬。
晶體管的自身噪聲由下列四部分組成。
閃爍噪聲，其功率譜密度隨頻率f的降低而增加，因此也叫作1/f噪聲或低頻噪聲。頻率很低時這種噪聲較大，頻率較高時(幾百赫以上)這種噪聲可以忽略。
基極電阻rb'b的熱噪聲和。
散粒噪聲，這兩種噪聲的功率譜密度基本上與頻率無關。
分配噪聲，其強度與f的平方成正比，當f高于晶體管的截止頻率時,這種噪聲急劇增加。圖1是晶體管噪聲系數F隨頻率變化的曲線。對于低頻，特別是超低頻低噪聲放大器,應選用1/f噪聲小的晶體管;對于中、高頻放大，則應盡量選用高的晶體管，使其工作頻率范圍位于噪聲系數-頻率曲線的平坦部分。
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(素材來源：analog.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）W25Q256FVEIM品牌：Winbond封裝：WSON-8標準包裝：6300包裝：管件封裝/規格：WSON-8 6*8溫度范圍：-40℃~85℃系列：W25Q256FV系列格式-存儲器：Flash存儲類型：SpiFlash®存儲容量：256MBit 32MByte速度：104MHZ接口：SPI串行電源電壓：2.7v~3.6v
微波濾波器的設計指標主要包括:
絕對衰減(Absoluteattenuation):阻帶中最大衰減(dB)。
帶寬(Bandwidth):通帶的3dB帶寬(flow-fhigh)。
中心頻率:fc或f0。http://wydkj.51dzw.com/
截止頻率。下降沿3dB點頻率。
每倍頻程衰減(dB/Octave):離開截止頻率一個倍頻程衰減(dB)。
微分時延(differentialdelay):兩特定頻率點群時延之差以ns計。
群時延(Groupdelay):任何離散信號經過濾波器的時延(ns)。
插入損耗(insertionloss):當濾波器與設計要求的負載連接，通帶中心衰減，dB。
帶內波紋(passbandripple):在通帶內幅度波動，以dB計。
相移(phaseshift):當信號經過濾波器引起的相移。
品質因數Q(qualityfactor):中心頻率與3dB帶寬之比。
止帶(stopband或rejectband):對于低通、高通、帶通濾波器，指衰減到指定點(如60dB點)的帶寬。
晶體管的自身噪聲由下列四部分組成。
閃爍噪聲，其功率譜密度隨頻率f的降低而增加，因此也叫作1/f噪聲或低頻噪聲。頻率很低時這種噪聲較大，頻率較高時(幾百赫以上)這種噪聲可以忽略。
基極電阻rb'b的熱噪聲和。
散粒噪聲，這兩種噪聲的功率譜密度基本上與頻率無關。
分配噪聲，其強度與f的平方成正比，當f高于晶體管的截止頻率時,這種噪聲急劇增加。圖1是晶體管噪聲系數F隨頻率變化的曲線。對于低頻，特別是超低頻低噪聲放大器,應選用1/f噪聲小的晶體管;對于中、高頻放大，則應盡量選用高的晶體管，使其工作頻率范圍位于噪聲系數-頻率曲線的平坦部分。
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