電壓波動和抑制電壓閃變
發布時間:2020/4/1 8:37:46 訪問次數:2886
Nexperia USA Inc.
制造商零件編號
PTVS13VS1UTR,115
描述
TVS DIODE 13V 21.5V CFP3
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL） 1（無限）
詳細描述 21.5V-Clamp-18.6A-Ipp-Tvs-Diode-表面貼裝-CFP3
類型 齊納
單向通道 1
電壓 - 反向關態（典型值） 13V
電壓 - 擊穿（最小值） 14.4V
電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp 21.5V
電流 - 峰值脈沖（10/1000μs） 18.6A
功率 - 峰值脈沖 400W
電源線路保護 無
應用 汽車級
不同頻率時的電容 -
工作溫度 -55°C ~ 185°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOD-123W
供應商器件封裝 CFP3
LC-RX Ⅰ型濾波補償裝置是采用微電腦動態濾波補償控制器， 主回路采用高性能接觸器投切濾波支路的控制方式，自動投切。設備具有技術先進、功能完備、可靠性高、操作簡單、維護量小、經久耐用等特點。調諧濾波支路采用電腦模擬設計，針對用戶實際情況分析計算，就地進行濾波補償，改善用戶的功率因數及諧波狀況，實現節能提高用戶經濟效益。裝置能在外部故障或停電時自動退出工作，送電后自動恢復運行。
主要特點
針對用戶系統專門設計制造，按需消除特性諧波，如5次、7次11次等，濾波補償效果明顯。
設備投入，受電功率因數提高到0.95以上，使配電網的線損降低、配電變壓器的承載效率增加。
采用高性能接觸器及綜合保護控制系統投切各濾波支路，使設備操作簡單安全可靠。
快速檢測系統情況，根據系統要求（諧波情況、無功情況）自動或手動投切，實時濾波補償無功。
保護功能齊全，具有短路保護、過壓保護、過流保護等，運行可靠性高。
改善沖擊負載引起的電流沖擊，減少電壓波動和抑制電壓閃變，提高電壓穩定性，改善電壓質量。
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件編號
SI2302CDS-T1-GE3
描述
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝-N-溝道-20V-2.6A（Ta）-710mW（Ta）-SOT-23-3（TO-236）
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 2.6A（Ta）
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
Nexperia USA Inc.
制造商零件編號
PTVS13VS1UTR,115
描述
TVS DIODE 13V 21.5V CFP3
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL） 1（無限）
詳細描述 21.5V-Clamp-18.6A-Ipp-Tvs-Diode-表面貼裝-CFP3
類型 齊納
單向通道 1
電壓 - 反向關態（典型值） 13V
電壓 - 擊穿（最小值） 14.4V
電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp 21.5V
電流 - 峰值脈沖（10/1000μs） 18.6A
功率 - 峰值脈沖 400W
電源線路保護 無
應用 汽車級
不同頻率時的電容 -
工作溫度 -55°C ~ 185°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOD-123W
供應商器件封裝 CFP3
LC-RX Ⅰ型濾波補償裝置是采用微電腦動態濾波補償控制器， 主回路采用高性能接觸器投切濾波支路的控制方式，自動投切。設備具有技術先進、功能完備、可靠性高、操作簡單、維護量小、經久耐用等特點。調諧濾波支路采用電腦模擬設計，針對用戶實際情況分析計算，就地進行濾波補償，改善用戶的功率因數及諧波狀況，實現節能提高用戶經濟效益。裝置能在外部故障或停電時自動退出工作，送電后自動恢復運行。
主要特點
針對用戶系統專門設計制造，按需消除特性諧波，如5次、7次11次等，濾波補償效果明顯。
設備投入，受電功率因數提高到0.95以上，使配電網的線損降低、配電變壓器的承載效率增加。
采用高性能接觸器及綜合保護控制系統投切各濾波支路，使設備操作簡單安全可靠。
快速檢測系統情況，根據系統要求（諧波情況、無功情況）自動或手動投切，實時濾波補償無功。
保護功能齊全，具有短路保護、過壓保護、過流保護等，運行可靠性高。
改善沖擊負載引起的電流沖擊，減少電壓波動和抑制電壓閃變，提高電壓穩定性，改善電壓質量。
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件編號
SI2302CDS-T1-GE3
描述
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝-N-溝道-20V-2.6A（Ta）-710mW（Ta）-SOT-23-3（TO-236）
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 2.6A（Ta）
深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/
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