嵌入式光流處理器可以計算運動矢量

發布時間:2020/3/31 20:54:05 訪問次數:2749

UPD74HC244G片上FPU可消除執行定點算術運算時對溢出處理的需求，并有助于提高軟件代碼可讀性。

支持2.7V至5.5V的寬電源電壓；5V工作電壓的支持可大幅提升抗噪性能。

包含用于逆變器控制的MTU3計時器模塊。定時器計數器時鐘與CPU運行時的高速時鐘同頻率運行，易于生成逆變器控制所需的具有死區時間的互補PWM輸出。

專用通道的采樣和保持功能（用于三個通道）允許同時采樣三相電流值，從而無需進行糾錯并減輕軟件負擔。

RX13T產品組的關鍵特性：

RXv1 CPU內核，32 MHz工作頻率，性能高達98.56 CoreMark。

具備128KB或64KB片上代碼閃存、12KB片上SRAM、4KB片上數據閃存，無需外部EEPROM。

豐富的片上外圍功能，如三通道PGA、三通道比較器和高速片上諧振器（HOCO，精度為±1.0％），以減少外圍元件需求。

支持工作溫度范圍，-40℃ 至85℃和-40℃至105℃。滿足工業及消費電子領域日益增長的對高溫環境運行的需求。

傳感器是640 x 600像素的VD55G0和1500萬像素（1124 x 1364）的VD56G3。芯片尺寸分別為2.6mm x 2.5mm和3.6mm x 4.3mm，相對于分辨率，VD55G0和VD56G3的尺寸是市場上最小的。在所有波長，特別是近紅外光照條件下，像素間串擾較低，確保對比度高，圖像清晰度出色。VD56G3的嵌入式光流處理器可以計算運動矢量，而無需使用主處理器。新傳感器適合各種應用，包括增強現實和虛擬現實（AR / VR）、同時定位和建圖（SLAM）以及3D掃描。

其“U-MOS X-H系列”產品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET---TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用于數據中心和通信基站所用的工業設備的開關電源。”–進一步擴展U-MOS X-H功率MOSFET系列產品線–其“U-MOS X-H系列”產品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET---TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用于數據中心和通信基站所用的工業設備的開關電源。

U-MOS X-H系列產品，產品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。

采用了其最新一代的工藝制造技術，與當前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V產品相比，新款80V U-MOS X-H產品的漏源導通電阻降低了大約40%。通過優化器件結構，漏源導通電阻與柵極電荷特性[1]之間的平衡也得到了進一步的改善。新產品可提供業界最低功耗。

東芝正在擴展其降耗型產品線，從而為降低設備功耗提供幫助。