SN7484AN制造商: CML Microcircuits

產品種類: 調節器/解調器

RoHS:  詳細信息  

類型: Modulator/Demodulator

調制格式: FFSK, MSK

最大頻率: 4.036 MHz

最小頻率: 4.028 MHz

工作電源電壓: 2.7 V to 5.5 V

工作電源電流: 4.5 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-20

封裝: Tube  

商標: CML Microcircuits  

濕度敏感性: Yes  

Pd-功率耗散: 560 mW  

產品類型: Modulator / Demodulator  

工廠包裝數量: 38  

子類別: Wireless & RF Integrated Circuits

在5G的關鍵技術Massive MIMO應用中，基站收發信機上使用大數量（如32/64等）的陣列天線實現更大的無線數據流量和連接可靠性，這種架構需要相應的射頻收發單元陣列配套。射頻器件的數量將大為增加，器件的尺寸大小很關鍵，利用GaN的尺寸小、效率高和功率密度大的特點可實現高集化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。

基站射頻收發單元陳列中所需的射頻器件數量大為增加，基站密度和基站數量也會大為增加，因此相比3G、4G時代，5G時代的射頻器件將會以幾十倍、甚至上百倍的數量增加，因此成本的控制非常關鍵，而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優勢，隨著硅基氮化鎵技術的成熟，它能以最大的性價比優勢取得市場的突破。

在5G毫米波應用上，GaN的高功率密度特性在實現相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發通道數及整體方案的尺寸，實現性能成本的最優化組合。

時間常數

15ms

特性

非接觸表面溫度測量；5.5um紅外濾光片；快速響應時間；寬測量溫度范圍-30~100℃

響應率

125 V/W

探測率

0.63E08 cm·Hz1/2/W

噪聲

等效噪聲功率—0.44 nW·Hz1/2

溫度系數

熱電堆溫度系數-0.06 %/℃

RoHS

是

電阻

熱電堆電阻-350 kΩ(Typ)

封裝 / 箱體

TO-46

工廠包裝數量

1

溫度閾值

-30~100℃

準確性

測溫精度-0.1℃（35℃-41℃）0.2℃（-10℃-85℃） 0.3℃（-30℃-100℃）

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