TM1648A功能特點：

共陰有10段×7位或13段×4位兩種顯示模式可選；

共陽只有7段×10位一種顯示模式；

帶8個電容觸摸按鍵掃描，帶自動校準功能；

外接電容調整靈敏度；

最長按鍵輸出時間檢測；

內置RC振蕩；

內置數據鎖存電路；

8級輝度可調；

標準I2C通信方式；

內置上電復位電路；

抗干擾能力強；

內置針對LED反偏漏電導致暗亮問題優化電路；

內置驅動有源蜂鳴器控制程序；

封裝形式：SOP32；

TM1681功能特點：

LQFP48、LQFP52兩種封裝形式；

LQFP48——24ROW*8COM=192點陣LED模式；

LQFP52——32ROW*8COM=192和24ROW*16COM=384兩種點陣LED模式可選；

64*4靜態顯存RAM（32ROW*8COM），96*4靜態顯存RAM（24ROW*16COM）；

16級輝度調節（脈寬調制控制）調整LED亮度；

四線SPI串行接口通訊；

片內256KHz RC振蕩器；

工作電壓2.4～5.5V；

閃爍功能，可用命令設定閃爍頻率為2Hz/1Hz/0.5Hz；

可以級聯；

本產品性能優良，質量可靠，P2P兼容HT1632C。

TM1681應用：

跑步機儀表、電子飛鏢等健身器材儀表、工控儀器儀表等

ID：最大漏源電流。是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過ID。此參數會隨結溫度的上升而有所減額。

IDM：最大脈沖漏源電流。此參數會隨結溫度的上升而有所減額。

VGS：最大柵源電壓。

V(BR)DSS：漏源擊穿電壓。是指柵源電壓VGS為0時，場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小于V(BR)DSS。它具有正溫度特性。故應以此參數在低溫條件下的值作為安全考慮。

RDS(on)：在特定的VGS（一般為10V）、結溫及漏極電流的條件下，MOSFET導通時漏源間的最大阻抗。它是一個非常重要的參數，決定了MOSFET導通時的消耗功率。此參數一般會隨結溫度的上升而有所增大。故應以此參數在最高工作結溫條件下的值作為損耗及壓降計算。

VGS(th)：開啟電壓（閥值電壓）。當外加柵極控制電壓VGS超過VGS(th)時，漏區和源區的表面反型層形成了連接的溝道。應用中，常將漏極短接條件下ID等于1毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數一般會隨結溫度的上升而有所降低。

PD：最大耗散功率。是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效應管實際功耗應小于PDSM并留有一定余量。此參數一般會隨結溫度的上升而有所減額。

Tj：最大工作結溫。通常為150℃或175℃，器件設計的工作條件下須確應避免超過這個溫度，并留有一定裕量。

功率 MOSFET 與雙極型功率相比具有如下特點：

MOSFET 是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅動大電流時無需推動級，電路較簡單；

輸入阻抗高；

工作頻率范圍寬，開關速度高(開關時間為幾十納秒到幾百納秒)，開關損耗小；

有較優良的線性區，并且 MOSFET 的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作 Hi-Fi 音響；

功率 MOSFET 可以多個并聯使用，增加輸出電流而無需均流電阻。

(素材來源：21IC和ttic和eechina.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）

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