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低反向恢復和快速開關特性

發布時間:2020/8/22 23:12:50 訪問次數:1236


采用LGA2066接口,包括i7-9800X、i9-9820X、i9-9900X、i9-9920X、i9-9940X、i9-9960X、i9-9980XE等7款。

10款Xeon W-2000系列工作站產品也宣告退役。

Intel宣布退役第一代酷睿X,同樣是Skylake-X架構,今年6月5日已經完成最后一批出貨。

Intel退役這批處理器,畢竟現在已經有Cascade Lake-X架構的10代酷睿發燒處理器可選,清一色都是i9,包括10900X/10920X/10940X/10980XE等。

這三代酷睿X說來也有些“不思進取”,最高就只到18核。

逆變器應用的全SiC功率模塊 ,產品已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用,用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。


NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiCMOSFET和具有雙升壓級的1200 V,40 A SiC升壓二極管。 SiC技術的使用提供了實現太陽能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速開關特性。

碳化硅技術有潛力變革能源市場。全SiC集成功率模塊解決了太陽能逆變器在提升功率水平下對更高系統能效的需求,并證實SiC技術的成熟。

專注于提供創新、清潔和節能的方案,以打造更美好的明天,我們一直在尋求與可幫助我們實現最高能效、減小產品體積和重量并滿足全球太陽能光伏市場需求的供應商合作。選用安森美半導體的全SiC功率模塊用于我們的M70A 70kW三相光伏組串逆變器,因為它們提供同類最佳的性能,再結合我們在高能效電力電子領域的獨特專知,使我們的產品能實現高達98.8%的峰值能量轉換能效。

寬禁帶(WBG)技術 的功率集成模塊(PIM)陣容的一員,NXH40B120MNQ集成度高,引腳分配針對逆變器設計進行了優化。 通過使用SiC器件,功率模塊提供低導通和開關損耗,從而支持使用更高的開關頻率,有助于提高逆變能效。 這些模塊易于使用,可根據客戶的喜好,采用無焊壓合連接和客戶定義的熱接口選項。

NXH40B120MNQ全SiC電源模塊有2通道和3通道版本,還有2通道模塊NXH80B120MNQ0,集成了一個1200 V、80 mΩ SiC MOSFET和1200 V、20 A SiC二極管。相信再過幾年到幾十年,當人類利用太陽能的技術很成熟的時候,這樣就有了無窮盡的能源供給社會的使用,再當下就需要研究者更加努力研究新技術。



(素材來源:21ic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)




采用LGA2066接口,包括i7-9800X、i9-9820X、i9-9900X、i9-9920X、i9-9940X、i9-9960X、i9-9980XE等7款。

10款Xeon W-2000系列工作站產品也宣告退役。

Intel宣布退役第一代酷睿X,同樣是Skylake-X架構,今年6月5日已經完成最后一批出貨。

Intel退役這批處理器,畢竟現在已經有Cascade Lake-X架構的10代酷睿發燒處理器可選,清一色都是i9,包括10900X/10920X/10940X/10980XE等。

這三代酷睿X說來也有些“不思進取”,最高就只到18核。

逆變器應用的全SiC功率模塊 ,產品已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用,用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。


NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiCMOSFET和具有雙升壓級的1200 V,40 A SiC升壓二極管。 SiC技術的使用提供了實現太陽能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速開關特性。

碳化硅技術有潛力變革能源市場。全SiC集成功率模塊解決了太陽能逆變器在提升功率水平下對更高系統能效的需求,并證實SiC技術的成熟。

專注于提供創新、清潔和節能的方案,以打造更美好的明天,我們一直在尋求與可幫助我們實現最高能效、減小產品體積和重量并滿足全球太陽能光伏市場需求的供應商合作。選用安森美半導體的全SiC功率模塊用于我們的M70A 70kW三相光伏組串逆變器,因為它們提供同類最佳的性能,再結合我們在高能效電力電子領域的獨特專知,使我們的產品能實現高達98.8%的峰值能量轉換能效。

寬禁帶(WBG)技術 的功率集成模塊(PIM)陣容的一員,NXH40B120MNQ集成度高,引腳分配針對逆變器設計進行了優化。 通過使用SiC器件,功率模塊提供低導通和開關損耗,從而支持使用更高的開關頻率,有助于提高逆變能效。 這些模塊易于使用,可根據客戶的喜好,采用無焊壓合連接和客戶定義的熱接口選項。

NXH40B120MNQ全SiC電源模塊有2通道和3通道版本,還有2通道模塊NXH80B120MNQ0,集成了一個1200 V、80 mΩ SiC MOSFET和1200 V、20 A SiC二極管。相信再過幾年到幾十年,當人類利用太陽能的技術很成熟的時候,這樣就有了無窮盡的能源供給社會的使用,再當下就需要研究者更加努力研究新技術。



(素材來源:21ic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)



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