最佳相位性能和最大輸出功率一致，因此測得的功率足以確保最佳的相位噪聲性能。本例中的校準器為 ADIADL6010 功率檢波器，用于測量組合信號的輸出幅度。在此方法中，可 (在每個頻率)調節每個 PLL 的相位，當組合功率達到最大值時，相位調節恒定。針對其他每個 PLL 重復該過程，直到所有四個 PLL 都上電并得到調節，這樣合成器輸出端的信號即會達到最大值。

集成四個相位對準 ADF4355 的 PLL/VCO 以及 ADCLK948 時鐘緩沖器、合成器(PBR-0006SMG)和校準電路

實際結果遵循理論，針對 PLL/VCO 的每次倍頻具有所述的正確相位性能，相比單個 PLL/VCO，四個 PLL/VCO 的組合相位噪聲可改善 6 dB。

當四個 PLL/VCO 相位組合時，一個 ADF4355 PLL (1 MHz 偏移時–134 dBc/Hz/)的性能可改善 6 dB (1 MHz 偏移時約–140 dBc/Hz)。

特點 375/456-MHz ARM926EJ-S™ RISC 內核 ARM9 內存架構 可編程實時單元子系統 增強版直接內存存取控制器 3 (EDMA3) 兩個外部內存接口 三個可配置的 16550 型 UART 模塊 兩個串行外設接口 (SPI) 配有安全數據輸入/輸出 (SDIO) 的多媒體卡 (MMC)/ 安全數碼 (SD) 卡接口 兩個主/從內部集成電路.

TI AM1808 評估模塊Texas Instruments TMDXEXP1808L AM18x eXperimenter 套件 和 TMDXEVM1808L AM18x 評估模塊用于評估 AM1806 和 AM1808 應用程序處理器的功能。 兩種套件均配有 AM1808 SOM-M1、應用底板、觸摸屏 LCD 和開發工作所需的軟件。 AM18x 評估模塊還配有用戶接口板、網絡 / USB / 串行連接器和電纜。

瑞薩DDR5數據緩沖器通過降低容性負載、數據對準和信號恢復技術的組合，使重載通道的系統眼圖最大化。這使具有大量內存通道和插槽以及復雜路由拓撲的服務器主板即使在高密度內存滿載的情況下，也能夠以最高速度運行。此外，DDR5模組定義的改進允許更低的電源電壓（DDR5中為1.1V，DDR4中則為1.2V）、DIMM模組內電壓調節以及通過使用SPD集線器和現代控制總線通信（如I3C）來實現先進的控制平面架構。

自雙列直插式內存模組問世以來，瑞薩作為業界資深的內存接口產品供應商，始終致力于完整芯片組解決方案的研發。作為整體產品家族的一部分，經過優化的全新瑞薩DDR5數據緩沖器5DB0148，可與LRDIMM存儲器模組上的其它瑞薩DDR5組件無縫對接，包括電源管理芯片P8900、寄存時鐘驅動器5RCD0148、SPD集線器SPD5118以及溫度傳感器TS5111，確保部署瑞薩芯片組解決方案的內存供應商獲得完整的互操作性和穩定的質量。