NPN 雙極型晶體管 Q1 是最重要的組件。筆者首先選擇了這種器件。該晶體管應符合下列要求：

集電極至發射極和基極至發射極的擊穿電壓應超過最高輸入電壓 Vin_max。

集電極最大允許電流應超過最大負載電流 Io_max。

除了這兩項基本要求之外，使用具有備選封裝的組件也是一個好主意。當涉及到功耗時，擁有這種靈活性將會簡化以后的設計過程。具有備選封裝和不同額定功率的 NPN 晶體管。

所用 NPN 晶體管的關鍵特性。

當 IC = 50mA 時：

直流(DC)電流增益 hFE = 60;

集電極 - 發射極最高飽和電壓 VCEsat = 300mV;

基極 - 發射極最高飽和電壓 VBEsat = 950mV。

齊納二極管 Dz 的選擇

輸出電壓等于反向齊納電壓 VZ 減去該晶體管基極至發射極電壓 VBE。最低反向齊納電壓應符合下述要求。

晶體管 Q1 而言，因為有限流電阻器 RC，所以在短路事件中不會發生最壞情況下的功耗。在正常運行期間 Q1 的功耗是集電極電流的函數.

當滿足下列條件時，會發生最壞的情況：

VIN = VIN_max

VO = VO_min

IC = (VIN_max – VO_min)/(2×RC)

Q1 的最大功耗為(VIN_max – VO_min)2/(4×RC)。在本示例中，它是 110mW。筆者選擇了一種額定功率為 350mW、采用 SOT23 封裝的小外形晶體管。

至于 RB 的最大功耗，在具有最大輸入的短路事件中會發生最壞的情況。跨 RB 的電壓等于輸入電壓減去 VBE(sat)。最大功耗估計為 38mW。

可編程為 18kΩ或 180kΩ的內部上拉電阻，一次自動偏置一個熱敏電阻。上拉電阻器在出廠調試期間進行測量，其值以數字方式存儲在器件中，用于溫度計算。

電壓 ADC 以 REG18 電壓為基準，按比例測量熱敏電阻引腳電壓。每個熱敏電阻上的電壓每隔一到三個測量循環測量一次。原始 ADC 計數值可通過 DASTATUS6()子命令獲得。在正常模式下，器件每隔 250ms 將這些測量值轉換為溫度；在睡眠模式下，器件每隔一次測量將這些測量值轉換為溫度。

BQ76942 和 BQ76952 采用基于 ADC 測量的五階多項式來計算溫度。這些器件包括用于以下各項的默認多項式系數：

使用 18kΩ上拉電阻的 Semitec 103-AT 熱敏電阻（25°C 時 10kΩ，B25/85 = 3,435 k）。

使用 180kΩ上拉電阻的 Semitec 204AP-2 熱敏電阻（25°C 時 200kΩ，B25/85 = 4,470 k）。

為與其他熱敏電阻配合使用而優化的自定義系數也可寫入寄存器或一次性可編程存儲器中。

每個啟用的熱敏電阻計算的溫度以 0.1°K 為單位，可通過使用串行通信接口進行讀取。

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