電動汽車搭載的電機、車載充電器和DC/DC轉換器等高壓汽車系統都需要碳化硅(SiC)等創新電源技術。Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布推出最新通過認證的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)功率器件，為電動汽車(EV)系統設計人員提供了符合嚴苛汽車質量標準的解決方案，同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。

Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認證，對于需要在提高系統效率的同時保持高質量的電動汽車電源設計人員來說，可以最大限度地提高系統的可靠性和耐用性，實現穩定和持久的應用壽命。新器件卓越的雪崩整流性能使設計人員可以減少對外部保護電路的需求，降低系統成本和復雜性。

Microchip 通過 AEC-Q101 認證的碳化硅肖特基二極管(SiC SBD) 器件支持 SPICE 和 PLECS 仿真模型以及 MPLAB® Mindi™ 模擬仿真器。同時還提供Microchip SBD(1200V, 50A)作為功率級的一部分的PLECS參考設計模型，即Vienna三相功率因數校正(PFC)參考設計。

Texas Instruments提供各種完整的接口解決方案，適合計算機和消費類電子產品等廣泛領域。這些解決方案涵蓋1394 (Fire Wire™)、USB、PCI Express到工業串行通信標準，包括數字隔離、UART、LVDS、M-LVDS、RS-485、RS-232、CAN等。產品種類:串行器/解串器 - SerdesRoHS:  類型:Serializer數據速率:2.975 Gb/s輸入類型:LVCMOS輸出類型:FPD-Link, LVDS輸入端數量:24 Input輸出端數量:1 Output工作電源電壓:1.8 V, 3.3 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 105 C安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:WQFN-48封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel系列: 商標:Texas Instruments 工作電源電流:148 mA 產品類型:Serializers & Deserializers - Serdes

Microchip 碳化硅(SiC)解決方案的可靠性和耐用性在業界處于領先水平。其耐用性測試表明，Microchip 的碳化硅肖特基二極管(SiC SBD)在非箝位電感開關(UIS)中的能量承受能力提升20%，在高溫下電流泄漏水平最低，從而可以延長系統壽命，實現更可靠的運行。

Microchip 的 SiC 汽車功率器件進一步拓展了其豐富的控制器、模擬和連接解決方案產品組合，為設計人員提供電動汽車和充電站的整體系統解決方案。Microchip還利用最新一代碳化硅(SiC)裸片，提供700、1200和1700V 碳化硅肖特基二極管(SiC SBD)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)功率模塊的廣泛產品組合。

Microchip推出的dsPIC®數字信號控制器可提供高性能、低功耗和靈活的外設。Microchip的AgileSwitch®系列數字可編程門驅動器進一步加快了從設計階段到生產的進程。這些解決方案還可應用于可再生能源、電網、工業、交通、醫療、數據中心、航空航天和國防系統。

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