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自旋轉移矩磁隨機存儲器

發布時間:2020/10/31 22:11:48 訪問次數:732

H橋電機驅動IC“TC78H660FNG”,且采用了TSSOP16封裝和廣泛使用的引腳分配。這是東芝直流有刷電機和步進電機驅動產品系列中的最新成員,適用于包括移動設備和家用電器在內的眾多應用。

東芝的新一代DMOS工藝讓TC78H660FNG能夠在最大額定值為18V/2.0A[1]時實現低至0.48Ω的導通電阻,較東芝的現有產品發熱更低。

新款驅動內置了用于驅動內部邏輯電路的穩壓電源,可使用2.5V至16V的單電源來驅動電機。其應用范圍廣泛,其中包括由3.7V鋰離子電池供電的移動設備、5V USB供電的設備以及由12V電壓供電的家電系統設備。它也支持1.8V的低壓接口。

特性:

單電源驅動,簡單的PWM控制

導通電阻低,較東芝的現有產品發熱更低(Ron=0.48Ω(高側+低側:典型值)@VM=12V,Ta=25℃)

電流消耗低(超低待機電流:0.1mA或更低@Ta=25℃)

應用:

電池供電移動設備,包括機器人和玩具;家用電器,包括冰箱、智能電表等

標準包裝:1類別:連接器,互連器件家庭:卡邊緣連接器 - 邊緣板連接器系列:-包裝:管件卡類型:非指定 - 雙邊公母:母頭位/盤/排數:43針腳數:86卡厚度:0.062"(1.57mm)排數:2間距:0.100"(2.54mm)特性:-安裝類型:通孔端接:焊接觸頭材料:銅鈹觸頭鍍層:金觸頭鍍層厚度:30μin(0.76μm)觸頭類型:全波紋管顏色:綠法蘭特性:側面安裝開口,無螺紋,0.125"(3.18mm)直徑材料 - 絕緣:聚苯硫醚(PPS)工作溫度:-65°C ~ 150°C讀數:雙

在該領域產品多基于以上三方面開展。利用英飛凌公司的XC2000系列單元實現了對電動汽車行駛數據的采集,并構建了遠程監控平臺,實現對被測車輛的無線訪問。基于飛思卡爾MC9S12XE單元實現對電動汽車電機、電池等數據的采集,實現了全車4G信號覆蓋等功能。

基于1T1MTJ的自旋轉移矩-磁隨機存儲器(STT-MRAM)提出了一種改進型存內位邏輯計算方案。該方案通過精簡2T2MTJ存內位邏輯運算方案提升了存儲陣列密度,通過互補型讀出電路增加了“與非”和“或非”的運算功能。

還通過增加支路電壓穩定電路的方法,提出了一種適用于上述方案的改進型高速靈敏放大器。基于中芯國際55 nm LL邏輯工藝的仿真結果表明,相較于傳統的靈敏放大器,該方案不僅讀取速度提升了33%,在適配大型存儲陣列(CB≥0.8 pF)時還擁有更強的讀取能力與更優的功率積(PDP)。


(素材來源:chinaaet和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

H橋電機驅動IC“TC78H660FNG”,且采用了TSSOP16封裝和廣泛使用的引腳分配。這是東芝直流有刷電機和步進電機驅動產品系列中的最新成員,適用于包括移動設備和家用電器在內的眾多應用。

東芝的新一代DMOS工藝讓TC78H660FNG能夠在最大額定值為18V/2.0A[1]時實現低至0.48Ω的導通電阻,較東芝的現有產品發熱更低。

新款驅動內置了用于驅動內部邏輯電路的穩壓電源,可使用2.5V至16V的單電源來驅動電機。其應用范圍廣泛,其中包括由3.7V鋰離子電池供電的移動設備、5V USB供電的設備以及由12V電壓供電的家電系統設備。它也支持1.8V的低壓接口。

特性:

單電源驅動,簡單的PWM控制

導通電阻低,較東芝的現有產品發熱更低(Ron=0.48Ω(高側+低側:典型值)@VM=12V,Ta=25℃)

電流消耗低(超低待機電流:0.1mA或更低@Ta=25℃)

應用:

電池供電移動設備,包括機器人和玩具;家用電器,包括冰箱、智能電表等

標準包裝:1類別:連接器,互連器件家庭:卡邊緣連接器 - 邊緣板連接器系列:-包裝:管件卡類型:非指定 - 雙邊公母:母頭位/盤/排數:43針腳數:86卡厚度:0.062"(1.57mm)排數:2間距:0.100"(2.54mm)特性:-安裝類型:通孔端接:焊接觸頭材料:銅鈹觸頭鍍層:金觸頭鍍層厚度:30μin(0.76μm)觸頭類型:全波紋管顏色:綠法蘭特性:側面安裝開口,無螺紋,0.125"(3.18mm)直徑材料 - 絕緣:聚苯硫醚(PPS)工作溫度:-65°C ~ 150°C讀數:雙

在該領域產品多基于以上三方面開展。利用英飛凌公司的XC2000系列單元實現了對電動汽車行駛數據的采集,并構建了遠程監控平臺,實現對被測車輛的無線訪問。基于飛思卡爾MC9S12XE單元實現對電動汽車電機、電池等數據的采集,實現了全車4G信號覆蓋等功能。

基于1T1MTJ的自旋轉移矩-磁隨機存儲器(STT-MRAM)提出了一種改進型存內位邏輯計算方案。該方案通過精簡2T2MTJ存內位邏輯運算方案提升了存儲陣列密度,通過互補型讀出電路增加了“與非”和“或非”的運算功能。

還通過增加支路電壓穩定電路的方法,提出了一種適用于上述方案的改進型高速靈敏放大器。基于中芯國際55 nm LL邏輯工藝的仿真結果表明,相較于傳統的靈敏放大器,該方案不僅讀取速度提升了33%,在適配大型存儲陣列(CB≥0.8 pF)時還擁有更強的讀取能力與更優的功率積(PDP)。


(素材來源:chinaaet和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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