SM8266容量支持最高達16TB，具備16個NAND閃存通道，并支持最新款3D TLC和QLC NAND閃存技術。SM8266采用多項獨有的技術，讓SSD在PCIe Gen 4的性能下達到企業級的可靠度、數據完整性及保存性，這些技術包括：

第六代NANDXtend TM技術：高性能LDPC糾錯碼（ECC）引擎和RAID的機器學習算法，即使在極端作業環境下也能確保更佳的數據完整性。

端到端數據路徑保護：將ECC應用于SSD的SRAM和DRAM以及NAND閃存。在主機與SSD之間以及在緩沖存儲器與NAND閃存之間傳輸數據時，可以確保所有數據的完整性。

斷電保護：可消除意外斷電時數據丟失的風險。

TE Connectivity的LUMAWISE Endurance N Enhanced Base系列產品使整合街道照明控制的創新變得簡單。隨著智能城市變得更加智能，需要更復雜的系統，支持照明控制產品的模塊化。

LUMAWISE支持諸如存在、光照和活動檢測以及天氣測量和事故報告等應用。它的設計還降低了替換設計的成本，在開發下一代網絡照明控制時簡化了上市時間。

LUMAWISE Endurance N增強型底座提供復雜控制節點解決方案所需的交流電源開關和直流電源。該基座具有標準NEMA/ANSI路燈接口、通用交流輸入范圍、用于鎮流器控制通信的隔離24V DC輸出以及用于客戶電路的隔離5V和3.3V DC輸出。它還兼容UL773，以簡化集成。

新的信號系統的可制造性，包括通過新的信號系統設計來提高產品的可制造性；通過重新設計，降低了產品的可制造性。

LUMAWISE Endurance N Enhanced Base非常適用于街道和道路照明控制、商業和校園室外照明管理、智能城市控制網絡以及智能電網到智能城市的橋接等應用。

MX25L8006EM2I-12G 類別集成電路（IC）存儲器制造商Macronix系列MX25xxx05/06   包裝 管件 零件狀態在售存儲器類型非易失存儲器格式閃存技術FLASH - NOR存儲容量8Mb （1M x 8）時鐘頻率86MHz寫周期時間 - 字，頁50μs，3ms存儲器接口SPI電壓 - 電源2.7V ~ 3.6V工作溫度-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型表面貼裝封裝/外殼8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）供應商器件封裝8-SOP  

(素材來源：21IC和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）