第四代SiC FET先進技術平臺的四款器件。該產品的性能取得了突破性發展，很好地解決了易用性、成本這個工程師面臨的最大挑戰，旨在加速碳化硅這種寬帶隙器件在汽車充電、工業充電、電信整流器、數據中心PFC直流轉換、可再生能源和儲能應用中的廣泛應用。

750V SiC FET這四款第四代器件基于領先的品質因數(FoM)實現了新的性能水平，從而使汽車、工業充電、電信整流器、數據中心功率因數校正(PFC)和 DC-DC轉換以及可再生能源和儲能領域的電源應用都能夠從中受益。

制造商:STMicroelectronics 產品種類:IGBT 模塊 RoHS: 詳細信息 產品:IGBT Silicon Modules 配置:3-Phase Inverter 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.6 V 在25 C的連續集電極電流:10 A Pd-功率耗散:60 W 封裝 / 箱體:SDIP2B-26L 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Bulk 高度:3.5 mm 長度:38 mm 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C 系列:STGIB10CH60TS-L 技術:Si 寬度:24 mm 商標:STMicroelectronics 安裝風格:Through Hole 產品類型:IGBT Modules 工廠包裝數量:156 子類別:IGBTs 商標名:SLLIMM 單位重量:9.160 g

藍牙和WLAN等帶寬相對較窄的傳統無線系統不同，UWB能在寬頻上發送一系列非常窄的低功率脈沖。較寬的頻譜、較低的功率、脈沖化數據，意味著UWB引起的干擾小于傳統的窄帶無線解決方案，并能夠在室內無線環境中提供與有線相媲美的性能。

Modbus串行通信協議，Modbus已經成為工業領域通信協議的業界標準，并且現在是工業電子設備之間常用的連接方式。Modbus協議是一個master/slave架構的協議。有一個master節點，其它使用Modbus協議參與通信的節點是slave節點，每一個slave設備都有一個唯一的地址。在串行和MB+網絡中，只有被指定為主節點的節點可以啟動一個命令。

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