這四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ兩種方案，其FoM無與倫比，并且其單位面積通態電阻更低，本征電容也很低。在硬開關應用中，第四代FET實現了最低的RDS(on)×EOSS（mΩ·μJ），因此其導通損耗和關斷損耗都得到降低。在軟開關應用中，其低RDS(on)×Coss(tr)（mΩ·nF）規格則可實現更低的傳導損耗和更高的頻率。這些器件不僅超越了現有SiC MOSFET競爭產品的性能（無論是在25℃低溫還是125℃高溫下工作），而且還提供了最低的體二極管VF，并具有出色的反向恢復特性，從而降低了死區損耗并提高了效率。

從DC-DC轉換和車載充電到功率因數校正和太陽能逆變器，這些器件可幫助各行各業的工程師們解決他們在滿足最高電壓和功率要求時所面臨的各種挑戰。

LM4040精密微功率并聯電壓基準是通過超小型SC70和SOT-23表面安裝組件進行空間關鍵應用的理想選擇。易于使用的LM4040的先進設計消除了外部穩定電容器的需要，同時確保穩定與任何電容負載。TI LM4040有幾種固定的反向擊穿電壓:2.048V、2.500V、3.000V、4.096V、5.000V、8.192V和10.000V。

最小動作電流從60μa lm4040 - 2.5增加到100μa lm4040 - 10.0,與所有版本15馬的最大操作電流。TI LM4040精密微功率并聯電壓基準采用熔斷器和zenergy -zap反向擊穿電壓微調，在25℃下保證主要部件的精度優于±0.1% (A級)。帶隙基準溫度漂移曲率校正和低動態阻抗確保在大范圍的工作溫度和電流下穩定的反向擊穿電壓精度。

一款完全集成、并帶有壓控振蕩器（VCO）的分數型（Fractional-N）射頻合成器CMX940，能夠以低功耗單芯片解決方案實現低相位噪聲和出眾的雜散噪聲性能。CMX940已經超越了行業設定的性能要求標準，可實現新一代專用移動無線電（PMR）、數據調制解調器、航海無線電和其他無線系統。

為了能夠以低功耗解決方案實現高性能和高靈活性，CML采用了具有高可配置參考路徑的雙環路架構，包括一個單獨的鎖相環（PLL）和VCO，用于最大程度地降低接近相位噪聲（close-in phase noise），并降低整數和分數邊界雜散噪聲。