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2.6 GHz射頻功率多芯片模塊LDMOS IC

發布時間:2020/12/3 18:12:37 訪問次數:699

新一代Airfast射頻多芯片模塊(MCM)利用恩智浦最新LDMOS技術的強大性能,采用集成設計技術,將頻率范圍擴展至4.0 GHz

提供比前一代產品更高的輸出功率,支持更強大的5G mMIMO無線電的部署,能夠覆蓋更大的城市區域

在2.6 GHz頻率下實現高達45%的效率提升,幫助降低5G網絡的整體耗電量

第2代Airfast射頻功率多芯片模塊(MCM),其設計目的是滿足蜂窩基站的5G mMIMO有源天線系統的演進要求。全新的一體式功率放大器模塊系列的重點是加快5G網絡的覆蓋,它基于恩智浦的最新LDMOS技術,提供更高的輸出功率、更廣的頻率范圍和更高的效率,外形尺寸與恩智浦前一代MCM產品相同。

制造商: Texas Instruments

產品種類: 運算放大器 - 運放

RoHS: 詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSSOP-8

通道數量: 2 Channel

電源電壓-最大: 16 V

GBP-增益帶寬產品: 2.18 MHz

每個通道的輸出電流: 50 mA

SR - 轉換速率 : 3.6 V/us

Vos - 輸入偏置電壓 : 2.5 mV

電源電壓-最小: 4.4 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

Ib - 輸入偏流: 60 pA

工作電源電流: 1.1 mA

關閉: No Shutdown

CMRR - 共模抑制比: 70 dB to 75 dB

en - 輸入電壓噪聲密度: 50 nV/sqrt Hz

系列: TLC2272

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

放大器類型: Low Noise Amplifier

特點: High Cload Drive

高度: 1.15 mm

輸入類型: Rail-to-Rail

長度: 3 mm

輸出類型: Rail-to-Rail

產品: Operational Amplifiers

電源類型: Single, Dual

技術: LinCMOS

寬度: 4.4 mm

商標: Texas Instruments

雙重電源電壓: +/- 3 V, +/- 5 V

In—輸入噪聲電流密度: 0.0006 pA/sqrt Hz

最大雙重電源電壓: +/- 8 V

最小雙重電源電壓: +/- 2.2 V

工作電源電壓: 4.4 V to 16 V, +/- 2.2 V to +/- 8 V

產品類型: Op Amps - Operational Amplifiers

工廠包裝數量: 2000

子類別: Amplifier ICs

商標名: LinCMOS

Vcm - 共模電壓: Negative Rail to Positive Rail - 1 V

電壓增益 dB: 104.86 dB

單位重量: 39 mg

我們的產品能夠提供更高的功率,采用更加經濟高效和緊湊的設計。這樣可以加快客戶和網絡移動運營商的產品上市速度,幫助他們滿足對5G擴展的需求。

用于5G擴展的全面多芯片模塊產品組合,恩智浦的射頻功率多芯片模塊包括LDMOS IC,配合采用集成式Doherty分路器和合路器,進行50歐姆輸入/輸出匹配。這種高集成度消除了射頻復雜性,避免多次原型制作,元器件數量減少則有助于提高產量,縮短認證周期時間。

第2代產品完善了去年發布的初代系列產品,提高了頻率和功率級。兩代產品具有相同的引腳輸出格式,讓射頻設計人員能夠快速從一種設計升級到另一種設計,從而縮短整體開發時間。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


新一代Airfast射頻多芯片模塊(MCM)利用恩智浦最新LDMOS技術的強大性能,采用集成設計技術,將頻率范圍擴展至4.0 GHz

提供比前一代產品更高的輸出功率,支持更強大的5G mMIMO無線電的部署,能夠覆蓋更大的城市區域

在2.6 GHz頻率下實現高達45%的效率提升,幫助降低5G網絡的整體耗電量

第2代Airfast射頻功率多芯片模塊(MCM),其設計目的是滿足蜂窩基站的5G mMIMO有源天線系統的演進要求。全新的一體式功率放大器模塊系列的重點是加快5G網絡的覆蓋,它基于恩智浦的最新LDMOS技術,提供更高的輸出功率、更廣的頻率范圍和更高的效率,外形尺寸與恩智浦前一代MCM產品相同。

制造商: Texas Instruments

產品種類: 運算放大器 - 運放

RoHS: 詳細信息

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSSOP-8

通道數量: 2 Channel

電源電壓-最大: 16 V

GBP-增益帶寬產品: 2.18 MHz

每個通道的輸出電流: 50 mA

SR - 轉換速率 : 3.6 V/us

Vos - 輸入偏置電壓 : 2.5 mV

電源電壓-最小: 4.4 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

Ib - 輸入偏流: 60 pA

工作電源電流: 1.1 mA

關閉: No Shutdown

CMRR - 共模抑制比: 70 dB to 75 dB

en - 輸入電壓噪聲密度: 50 nV/sqrt Hz

系列: TLC2272

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

放大器類型: Low Noise Amplifier

特點: High Cload Drive

高度: 1.15 mm

輸入類型: Rail-to-Rail

長度: 3 mm

輸出類型: Rail-to-Rail

產品: Operational Amplifiers

電源類型: Single, Dual

技術: LinCMOS

寬度: 4.4 mm

商標: Texas Instruments

雙重電源電壓: +/- 3 V, +/- 5 V

In—輸入噪聲電流密度: 0.0006 pA/sqrt Hz

最大雙重電源電壓: +/- 8 V

最小雙重電源電壓: +/- 2.2 V

工作電源電壓: 4.4 V to 16 V, +/- 2.2 V to +/- 8 V

產品類型: Op Amps - Operational Amplifiers

工廠包裝數量: 2000

子類別: Amplifier ICs

商標名: LinCMOS

Vcm - 共模電壓: Negative Rail to Positive Rail - 1 V

電壓增益 dB: 104.86 dB

單位重量: 39 mg

我們的產品能夠提供更高的功率,采用更加經濟高效和緊湊的設計。這樣可以加快客戶和網絡移動運營商的產品上市速度,幫助他們滿足對5G擴展的需求。

用于5G擴展的全面多芯片模塊產品組合,恩智浦的射頻功率多芯片模塊包括LDMOS IC,配合采用集成式Doherty分路器和合路器,進行50歐姆輸入/輸出匹配。這種高集成度消除了射頻復雜性,避免多次原型制作,元器件數量減少則有助于提高產量,縮短認證周期時間。

第2代產品完善了去年發布的初代系列產品,提高了頻率和功率級。兩代產品具有相同的引腳輸出格式,讓射頻設計人員能夠快速從一種設計升級到另一種設計,從而縮短整體開發時間。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)


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