為深入理解相移如何隨著波束方向(θ)而變，以圖形方式繪制了不同條件下的這些等式圖解。從這些圖形中可以觀察到一些有趣的現象。比如，d = λ/2時，瞄準線附近的斜率約為3:1，即等式2中的乘數π。這種情況還展示出，元件之間達到180°完整相移會使波束方向達到理論相移90°。

在真實的元件方向圖中，這是不可能實現的，但等式的確顯示出理論上的理想值。需要注意的是，d > λ/2時，不存在能夠提供完整波束位移的相移。導致天線方向圖中的柵瓣，該圖形是第一次表明，d > λ/2情況下的行為有所不同。

產品種類:運算放大器 - 運放RoHS:  安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TSSOP-8電源電壓-最大:8 V每個通道的輸出電流:50 mA通道數量:2 ChannelGBP-增益帶寬產品:710 kHzSR - 轉換速率 :0.55 V/usCMRR - 共模抑制比:70 dB to 83 dBIb - 輸入偏流:60 pAVos - 輸入偏置電壓 :0.95 mV電源電壓-最小:2.7 V工作電源電流:200 uA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C關閉:No Shutdown系列:資格:AEC-Q100封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel放大器類型:Low Voltage Amplifier 高度:1.15 mm 輸入類型:Rail-to-Rail 長度:3 mm 輸出類型:Rail-to-Rail 產品:Operational Amplifiers 電源類型:Single, Dual 技術:LinCMOS 寬度:4.4 mm 商標:Texas Instruments 雙重電源電壓:+/- 3 V en - 輸入電壓噪聲密度:40 nV/sqrt Hz In—輸入噪聲電流密度:0.0006 pA/sqrt Hz 最大雙重電源電壓:+/- 4 V 最小雙重電源電壓:+/- 1.35 V 工作電源電壓:2.7 V to 8 V, +/- 1.35 V to +/- 4 V 產品類型:Op Amps - Operational Amplifiers

等間隔線性陣列,等式僅適用于兩個元件。但實際的相控陣可能在兩個維度上包含數千個間隔開的元件。但出于本文用途，我們僅考慮一個維度：線性陣列。

Transphorm的新型Gen V器件TP65H015G5WS瞄準電動汽車(EV)市場，提供SuperGaN器件系列行業領先的固有性能增強、易設計性和優化的成本結構。該公司的Gen V GaN解決方案提供世界上最低的封裝導通電阻，并且與采用標準TO-247-3封裝的碳化硅(SiC)相比功耗降低了25%，從而提升GaN在EV功率轉換市場上的潛力。

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