單個2.5/3.3 V電源的片上穩壓器高達383個I/O
發布時間:2020/12/8 19:27:20 訪問次數:996
不安全的固件還會因為設備劫持(DDoS攻擊)、設備篡改或破壞等隱患,讓OEM廠商遭受財務損失和品牌聲譽方面的問題。若不及時處理這些風險,可能會對企業的聲譽以及財務狀況產生不良影響。
新開發的模塊采用新涂覆材料和新工藝方法,成功地預防了絕緣擊穿,并抑制了漏電流※1)的增加。在高溫高濕反偏試驗(HV-H3TRB)※2)中,實現了極高的可靠性,超過1,000小時也未發生絕緣擊穿現象。在高溫高濕度環境下也可以安心地處理1700V的高耐壓了。
全新MachXO3D的主要特性包括:
控制FPGA提供4K和9K查找表、用于實現上電時從器件閃存即時配置的邏輯
用于單個2.5/3.3 V電源的片上穩壓器
支持最大2700 Kbit的用戶閃存和最大430 Kbit的sysMEM™嵌入式塊RAM,讓設計選擇更加靈活
高達383個I/O,可配置為支持LVCMOS 3.3至1.0,可集成到具有熱插拔、默認下拉、輸入遲滯和可編程壓擺率等功能的各類系統環境中
嵌入式安全模塊,為ECC、AES、SHA和PKC和唯一安全ID等加密功能提供預驗證硬件支持
嵌入式安全配置引擎,可確保只安裝可靠來源的FPGA配置
雙片上配置存儲器,可在發生故障時對組件固件進行重新編程
由于SiC產品的節能效果優異,以1200V耐壓為主的SiC產品在汽車和工業設備等領域的應用日益廣泛。隨著各種應用的多功能化和高性能化發展,系統呈高電壓化發展趨勢,1700V耐壓產品的需求日益旺盛。然而,受可靠性等因素影響,遲遲難以推出相應產品,所以1700V耐壓的產品一般使用IGBT。
ROHM推出了實現額定1700V的全SiC功率模塊,新產品不僅繼承了1200V耐壓產品中深獲好評的節能性能,還進一步提高了可靠性。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
不安全的固件還會因為設備劫持(DDoS攻擊)、設備篡改或破壞等隱患,讓OEM廠商遭受財務損失和品牌聲譽方面的問題。若不及時處理這些風險,可能會對企業的聲譽以及財務狀況產生不良影響。
新開發的模塊采用新涂覆材料和新工藝方法,成功地預防了絕緣擊穿,并抑制了漏電流※1)的增加。在高溫高濕反偏試驗(HV-H3TRB)※2)中,實現了極高的可靠性,超過1,000小時也未發生絕緣擊穿現象。在高溫高濕度環境下也可以安心地處理1700V的高耐壓了。
全新MachXO3D的主要特性包括:
控制FPGA提供4K和9K查找表、用于實現上電時從器件閃存即時配置的邏輯
用于單個2.5/3.3 V電源的片上穩壓器
支持最大2700 Kbit的用戶閃存和最大430 Kbit的sysMEM™嵌入式塊RAM,讓設計選擇更加靈活
高達383個I/O,可配置為支持LVCMOS 3.3至1.0,可集成到具有熱插拔、默認下拉、輸入遲滯和可編程壓擺率等功能的各類系統環境中
嵌入式安全模塊,為ECC、AES、SHA和PKC和唯一安全ID等加密功能提供預驗證硬件支持
嵌入式安全配置引擎,可確保只安裝可靠來源的FPGA配置
雙片上配置存儲器,可在發生故障時對組件固件進行重新編程
由于SiC產品的節能效果優異,以1200V耐壓為主的SiC產品在汽車和工業設備等領域的應用日益廣泛。隨著各種應用的多功能化和高性能化發展,系統呈高電壓化發展趨勢,1700V耐壓產品的需求日益旺盛。然而,受可靠性等因素影響,遲遲難以推出相應產品,所以1700V耐壓的產品一般使用IGBT。
ROHM推出了實現額定1700V的全SiC功率模塊,新產品不僅繼承了1200V耐壓產品中深獲好評的節能性能,還進一步提高了可靠性。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)