在高溫高濕環境下確保業界頂級的可靠性，通過采用新涂覆材料作為芯片的保護對策，并引進新工藝方法，使新模塊通過了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗，從而使1700V耐壓的產品得以成功走向市場。

比如在高溫高濕反偏試驗中，比較對象IGBT模塊在1,000小時以內發生了引發故障的絕緣擊穿，而BSM250D17P2E004在85℃／85%的高溫高濕環境下，即使施加1360V達1,000小時以上，仍然無故障，表現出極高的可靠性。

優異的導通電阻性能，有助于設備進一步節新模塊中使用的是ROHM產的SiC SBD和SiC MOSFET。通過SiC SBD和SiC MOSFET的最佳組合配置，使導通電阻低于同等普通產品10%，這將非常有助于應用進一步節能。

全球知名半導體制造商ROHM面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器，開發出實現業界頂級可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。

模塊中采用了ROHM產的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（SBD），通過優化模塊內部結構，使導通電阻性能比與同等SiC產品優異10％，非常有助于應用進一步節能。

ROHM不僅會繼續擴充讓客戶安心使用的產品陣容，還會配備可輕松測試SiC模塊的評估板等，以進一步滿足日益擴大的市場需求。

SiC功率模塊的產品陣容：

漏電流功率元器件中從絕緣的位置泄漏出來的微小電流。抑制漏電流可防止元器件損壞和功耗增加。

高溫高濕反偏試驗（HV-H3TRB：High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias）對于在高溫高濕環境下使用功率元器件時的耐久性進行評估的試驗。通過電場和水分引起的絕緣處漏電流的增加，來檢測絕緣擊穿等故障現象。

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