器件是一種IGBT，采用先進的專用溝道柵場阻結構。該器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆變器系統性能和效率之間的最佳平衡，低損耗和短路功能至關重要。正的VCE（sat）溫度系數和嚴密的參數分布使并聯運行更安全。

基于IPM的方案主要用于最高10 kW的工業和家用電器電機驅動應用，提供在低EMI、安全穩定和可靠性及開關速度方面很好的性能折中。IPM高度集成基板、功率開關、功率二極管、門極驅動、無源器件等，可替代45至100個分立器件，有很好的故障容錯性，簡化的熱管理，PCB板易于設計，內置隔離大于等于2 kW，保護功能包括過壓/欠壓鎖定，防擊穿和過流跳閘。

主要特性

AEC-Q101合格

短路耐受時間6μs

VCE（飽和）=1.65 V（典型值）@IC=120 A

緊參數分布

更安全的并聯

正VCE（sat）溫度系數

低熱阻

軟快速恢復反并聯二極管

最高結溫：TJ=175°C

大多數芯片設計師需要基于現有制造工藝來開發新產品，但這些工藝本身也需要工程師來開發。工藝開發，相較于設計新的芯片，對于工程師以及他們的技能要求完全不同。前者的目標在于創造新的半導體制造工藝，不僅要滿足器件性能要求而且要保證高良率。

多種測試晶圓來確定特定器件的最佳工藝需求。他們需要先制造一組晶圓并對其做分析，然后基于分析結果來改進下一輪的制造工藝步驟。隨著特征尺寸的縮小，每次更新的工藝會對變量更加敏感。在測試時還必須考慮之前的開發中可能忽略的特征和寄生現象，這進一步提高了測試的復雜性和數據量。