EV12DD700雙通道設備的beta測試版樣品，以備批量出貨。這種寬輸出帶寬的12位（或8位）數據轉換器，可處理高達每秒12G采樣點的采樣率，具有在多個頻帶上生成信號波形的能力。

ADAS或EPS電源中的電源LSI，虛線框里面的部分，就是本身芯片所具有的一些主要功能和保護功能，在保證特性當中，芯片本身加入了像TSD的過熱保護回路，OVP的過壓保護回路和UVP的欠壓保護回路等在里面。

為滿足ASIL等級要求，與Tier1廠商、OEM廠商協商后，ROHM把紅色框這部分進行強化，構建安全機制和自診斷功能。為了確保汽車安全行駛，針對LSI的安全等級會越來越高，通過本身虛線框芯片整個的基礎構架，再加上紅色框的“功能安全”的功能，來保證針對于像LSI等級的電源功能安全提升。

OptiMOS™ 產品提供高性能封裝，可用于最具挑戰性的應用，充分靈活地優化空間、效率和成本。OptiMOS™ 產品經設計符合并超過計算機應用中更嚴格的下一代電壓調節標準的能效和功率密度要求。MOSFET 特性 經優化的 SyncFET，用于高性能降壓轉換器 100% 經雪崩測試 N 溝道 非常低的導通電阻 RDS(on) @ VGS=4.5V 超低柵極(Qg)和輸出電荷(Qoss）（對于給定 RDS(on) 按照 JEDEC 標準符合目標應用要求 出色的熱阻 無鉛電鍍；符合 RoHS 要求 無鹵素，符合 IEC61249-2-21 標準應用服務器的板載電源 高性能計算的電源管理 同步整流 高功率密度負載點轉換器產品種類:MOSFETRoHS:  技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TDSON-8通道數量:1 Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:150 VId-連續漏極電流:50 A

最新推出的650 V CoolSiC™ MOSFET產品系列展開了深入的探討。

第一個帶隙（band gap）的部分，SiC是Si材料的大概三倍。單位面積的阻隔電壓的能力，這個大概7倍，從0.3-2.2MV/cm。電子遷移率差不多，1.5cm2/ V·s、1.1cm2/ V·s 。熱導率事實上也是大概3倍多。在整個電源供應器的運作本身，不可避免地有損耗，就會產生熱。你可以把熱帶出來，代表了你的功率處理的能力比較強。電子漂移速度也大概2倍左右。

在整個功率器件市場，英飛凌是全球市場占有率最高的供應商，其Si產品包括低壓MOS、高壓MOS、IGBT等，英飛凌在SiC領域已有超過10年的經驗。面對競爭者，陳清源稱，英飛凌樂意競爭，也不怕競爭，有競爭才會進步。