HBM是一種標準化的堆疊內存技術，它為堆棧內以及內存和邏輯之間的數據提供了寬通道。基于HBM的封裝將內存堆在一起，并使用TSV將它們連接起來，這樣創建了更多的I/O和帶寬。

HBM也是一種JEDEC標準，它垂直集成了多個層次的DRAM組件，這些組件與應用程序處理器、GPU和SoC一起在封裝中。HBM主要在高端服務器和網絡芯片的2.5D封裝中實現;它現在已經發展到HBM2技術，新一代技術解決了原始HBM版本中的容量和時鐘速率限制問題。

一張AMD演示的內存架構，看到HBM實際結構，尤其是四層DRAM疊在最底層die之上，雖然AMD一直也沒有給出HBM本體的具體制作過程.

制造商:Intel 產品種類:FPGA - 現場可編程門陣列 RoHS: 詳細信息 產品:Cyclone V E 邏輯元件數量:301000 邏輯數組塊數量——LAB:11356 輸入/輸出端數量:224 I/O 工作電源電壓:1.1 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-484 封裝:Tray 系列:5CEFA9 商標:Intel / Altera 自適應邏輯模塊 - ALM:113560 內嵌式塊RAM - EBR:1717 kbit 嵌入式內存:12200 kbit 最大工作頻率:800 MHz 濕度敏感性:Yes 產品類型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工廠包裝數量:60 子類別:Programmable Logic ICs 總內存:13917 kbit 商標名:Cyclone 零件號別名:968348 單位重量:42.793 g

MAX77655單電感多輸出(SIMO)電源管理IC (PMIC)，以最高功率密度實現新的技術突破，適用于尺寸極小的下一代設備。與最接近的競爭方案相比，該款PMIC將方案尺寸縮小70%，4路升/降壓轉換通道可提供700mA電流，且僅需一個外部電感，總方案尺寸僅為17mm2。

在系統中整合更強的計算能力、更大的存儲容量以及更豐富的傳感器資源的解決方案——將所有功能集成到超小尺寸設備中。MAX77655 SIMO PMIC將4路電源集成在3.95mm2的單片IC中，且共用同一電感，解決了空間受限的難題。IC的超高工作效率有助于延長電池壽命，在中、高功率負載下，電源轉換器效率高達90%；輕載條件下，靜態電流僅為6.9μA。