R-Car V3U SoC集成式電源管理PMIC和功率器件
發布時間:2020/12/17 18:43:39 訪問次數:452
R-Car V3U延用了上一代產品R-Car V3M和R-Car V3H中ADAS與Level 2感知堆棧等開發資源,與Renesas autonomy平臺一起使用,為實現基于單芯片的Level 3級別自動駕駛構建了一條平穩的遷移路徑,可縮短開發周期并實現安全投產。
先進SoC支持業界嚴苛的ASIL D級標準自動駕駛系統要求功能安全性達到ASIL D級別——即ISO 26262道路車輛標準規定的最高、最嚴苛汽車安全等級。R-Car V3U SoC集成多種精密的安全機制,可對硬件的隨機故障進行快速檢測與響應。
產品種類:LED照明驅動器RoHS: 輸入電壓:265 V安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8系列:封裝:Reel特點:Brightness Control/Dimming產品:LED Drivers 商標:Monolithic Power Systems (MPS) 產品類型:LED Lighting Drivers
制造商:Infineon產品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細信息商標:Infineon Technologies產品:IGBT Silicon Modules配置:Half Bridge集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:2.5 V在25 C的連續集電極電流:210 A柵極—射極漏泄電流:320 nA最大工作溫度:+ 150 C封裝 / 箱體:Half Bridge2柵極/發射極最大電壓:20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風格:ScrewPd-功率耗散:1.25 kW工廠包裝數量:10
這種設計與主動鉗位方案的效率相當,能夠消除對于二極管和其他器件的需求,從而最大程度地減少器件數量并降低電路復雜性。這種設計還能支持更快的關斷時間,進而提高電磁閥和繼電器等機電器件的可靠性。
這種設計只能使用基于陳舊平面技術的器件。Nexperia汽車重復雪崩ASFET產品系列專為解決此問題而開發,能夠提供經過十億個周期測試的可靠重復雪崩功能。與升壓拓撲相比,這一產品系列可以減少多達15個板載器件,將器件管腳尺寸效率提高多達30%,從而簡化設計。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
R-Car V3U延用了上一代產品R-Car V3M和R-Car V3H中ADAS與Level 2感知堆棧等開發資源,與Renesas autonomy平臺一起使用,為實現基于單芯片的Level 3級別自動駕駛構建了一條平穩的遷移路徑,可縮短開發周期并實現安全投產。
先進SoC支持業界嚴苛的ASIL D級標準自動駕駛系統要求功能安全性達到ASIL D級別——即ISO 26262道路車輛標準規定的最高、最嚴苛汽車安全等級。R-Car V3U SoC集成多種精密的安全機制,可對硬件的隨機故障進行快速檢測與響應。
產品種類:LED照明驅動器RoHS: 輸入電壓:265 V安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8系列:封裝:Reel特點:Brightness Control/Dimming產品:LED Drivers 商標:Monolithic Power Systems (MPS) 產品類型:LED Lighting Drivers
制造商:Infineon產品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細信息商標:Infineon Technologies產品:IGBT Silicon Modules配置:Half Bridge集電極—發射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:2.5 V在25 C的連續集電極電流:210 A柵極—射極漏泄電流:320 nA最大工作溫度:+ 150 C封裝 / 箱體:Half Bridge2柵極/發射極最大電壓:20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風格:ScrewPd-功率耗散:1.25 kW工廠包裝數量:10
這種設計與主動鉗位方案的效率相當,能夠消除對于二極管和其他器件的需求,從而最大程度地減少器件數量并降低電路復雜性。這種設計還能支持更快的關斷時間,進而提高電磁閥和繼電器等機電器件的可靠性。
這種設計只能使用基于陳舊平面技術的器件。Nexperia汽車重復雪崩ASFET產品系列專為解決此問題而開發,能夠提供經過十億個周期測試的可靠重復雪崩功能。與升壓拓撲相比,這一產品系列可以減少多達15個板載器件,將器件管腳尺寸效率提高多達30%,從而簡化設計。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)