時鐘周期中讀取四個內存位置把四個內存位置寫入兩個連續時鐘周期
發布時間:2023/6/14 0:19:27 訪問次數:32
DRAM的一個行稱為內存頁面，多個順序的或不同的列地址。這提高了內存訪問速度，降低了內存時延，因為在訪問同一個內存頁面中的內存單元時，其不必把行地址重新發送給DRAM。
在接口到同步處理器時，DRAM 的異步操作帶來了許多設計挑戰。
SDRAM (同步DRAM)是為把DRAM操作同步到計算機系統其余部分，而不需要根據CE# (芯片啟動活動低)、RAS#、CAS#和WE#邊沿轉換順序定義所有內存操作模式而設計的。
SDRAM增加了時鐘信號和內存命令的概念。內存命令的類型取決于SDRAM 時鐘上升沿上的CE#, RAS#,CAS# 和WE# 信號狀態。產品資料根據CE#, RAS#,CAS# 和WE# 信號狀態，以表格形式描述內存命令。
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制造商:Linx Technologies 產品種類:RF連接器/同軸連接器 產品:Connectors 射頻系列:U.FL 型式:Jack (Female) 阻抗:50 Ohms 最大頻率:6 GHz 端接類型:SMD/SMT 方向:Straight 極性:Standard 電纜類型:- 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 主體材料:Liquid Crystal Polymer (LCP) 主體類型:Straight 觸點電鍍:Gold 觸點端接:Solder 系列: 電壓額定值:60 VRMS 商標:Linx Technologies 觸點材料:Copper Alloy 安裝風格:PCB Mount 主體表面處理:Nickel 絕緣電阻:500 MOhms 運轉周期:30 Min 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:- 40 C 產品類型:RF Connectors / Coaxial Connectors 2500 子類別:RF Interconnects 單位重量:308.167 mg
從兩個連續的時鐘周期中讀取四個內存位置，或把四個內存位置寫入兩個連續的時鐘周期中。
DDR SDRAM 有多個內存條，提供多個隔行掃描的內存訪問，從而提高內存帶寬。內存條是一個內存陣列，兩個內存條是兩個內存陣列，四個內存條是四個內存陣列，依此類推。四個內存條要求兩個位用于內存條地址(BA0 和BA1)。
四個內存條的DDR SDRAM的工作方式如下。AcTIvate命令在第一個內存條中打開一行。第二個AcTIvate命令在第二個內存條中打開一行。可以把Read 或Write 命令的任意組合發送到打開行的第一個內存條或第二個內存條。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
DRAM的一個行稱為內存頁面，多個順序的或不同的列地址。這提高了內存訪問速度，降低了內存時延，因為在訪問同一個內存頁面中的內存單元時，其不必把行地址重新發送給DRAM。
在接口到同步處理器時，DRAM 的異步操作帶來了許多設計挑戰。
SDRAM (同步DRAM)是為把DRAM操作同步到計算機系統其余部分，而不需要根據CE# (芯片啟動活動低)、RAS#、CAS#和WE#邊沿轉換順序定義所有內存操作模式而設計的。
SDRAM增加了時鐘信號和內存命令的概念。內存命令的類型取決于SDRAM 時鐘上升沿上的CE#, RAS#,CAS# 和WE# 信號狀態。產品資料根據CE#, RAS#,CAS# 和WE# 信號狀態，以表格形式描述內存命令。
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制造商:Linx Technologies 產品種類:RF連接器/同軸連接器 產品:Connectors 射頻系列:U.FL 型式:Jack (Female) 阻抗:50 Ohms 最大頻率:6 GHz 端接類型:SMD/SMT 方向:Straight 極性:Standard 電纜類型:- 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 主體材料:Liquid Crystal Polymer (LCP) 主體類型:Straight 觸點電鍍:Gold 觸點端接:Solder 系列: 電壓額定值:60 VRMS 商標:Linx Technologies 觸點材料:Copper Alloy 安裝風格:PCB Mount 主體表面處理:Nickel 絕緣電阻:500 MOhms 運轉周期:30 Min 最大工作溫度:+ 90 C 最小工作溫度:- 40 C 產品類型:RF Connectors / Coaxial Connectors 2500 子類別:RF Interconnects 單位重量:308.167 mg
從兩個連續的時鐘周期中讀取四個內存位置，或把四個內存位置寫入兩個連續的時鐘周期中。
DDR SDRAM 有多個內存條，提供多個隔行掃描的內存訪問，從而提高內存帶寬。內存條是一個內存陣列，兩個內存條是兩個內存陣列，四個內存條是四個內存陣列，依此類推。四個內存條要求兩個位用于內存條地址(BA0 和BA1)。
四個內存條的DDR SDRAM的工作方式如下。AcTIvate命令在第一個內存條中打開一行。第二個AcTIvate命令在第二個內存條中打開一行。可以把Read 或Write 命令的任意組合發送到打開行的第一個內存條或第二個內存條。
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