行地址是計算機的高階地址位，列地址是低階地址位。由于行地址和列地址在不同的時間發送，因此行地址和列地址復用到相同的DRAM 針腳上，以降低封裝針腳數量、成本和尺寸。行地址尺寸要大于列地址，因為使用的功率與列數有關。

DRAM 刷新實現方案包括分布式刷新和突發刷新。

DRAM 演進及實現了DRAM IC 上的刷新計數器，處理順序生成的行地址。在DRAM IC 內部，刷新計數器是復用器輸入，控制著內存陣列行地址。另一個復用器輸入來自外部地址輸入針腳的行地址。這個內部刷新計數器不需要內存控制器中的外部刷新計數器電路。部分DRAM 在RAS周期前支持一個CAS，以使用內部生成的行地址發起刷新周期。

制造商:STMicroelectronics 產品種類:整流器 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AC Vr - 反向電壓 :600 V If - 正向電流:15 A 類型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向電壓:2.9 V 最大浪涌電流:150 A Ir - 反向電流 :60 uA 恢復時間:50 ns 最大工作溫度:+ 175 C 系列: 封裝:Tube 高度:9.3 mm (Max) 長度:10.4 mm (Max) 產品:Rectifiers 端接類型:Through Hole 寬度:4.6 mm (Max) 商標:STMicroelectronics Pd-功率耗散:- 產品類型:Rectifiers 1000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:6 g

系統對內存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式，會帶來不同的效果。將對不同的組織方式及其效果。

Single Channel 指 DRAM Controller 只有一組控制和數據總線。 在這種場景下，DRAM Controller 與單個或者多個 DRAM Devices 的連接方式如下所示：

Single Channel 連接單個 DRAM Device 是最常見的一種組織方式。 由于成本、工藝等方面的因素，單個 DRAM Device 在總線寬度、容量上有所限制，在需要大帶寬、大容量的產品中，通常接入多個 DRAM Devices。