可熱插拔的光纖收發模塊在發射和接受部分集成了激光器控制電路和雪崩光電二極管，降低了NEM設計周期，縮短了產品的面市時間。內部集成的波長鎖定器節約了空間，為未來的高密度DWDM應用提供了平臺。

新型光纖收發模塊為DWDM交換和路由設備、多業務光傳輸平臺提供了光收發接口。該產品的傳輸距離現定為160km，未來的產品計劃實現300km。新的光纖收發模塊還可在35dB的光功率預算時，實現低功耗操作。

制造商:Infineon 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:100 V Id-連續漏極電流:9.4 A Rds On-漏源導通電阻:210 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V Qg-柵極電荷:25 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:48 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 晶體管類型:1 N-Channel 類型:HEXFET Power MOSFET 寬度:6.22 mm 商標:Infineon / IR 下降時間:23 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:23 ns 2000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:32 ns 典型接通延遲時間:4.5 ns 單位重量:4 g

多路分路器能工作在大于80Gbps的速率。它能把單一的串行高速數據流變換成收發器中的四路差分輸出。因此可以用在無誤差的OC-768網絡系統。雖然這種多路分路器只工作在一半的速率，其速度已遠高于SiGe電路，它的功耗卻和SiGe電路的一樣。例如，工作在40 Gbps時，半速率的多路分路器所消耗的功率僅僅為400毫瓦，是同一速度下的半速率SiGe電路的三分之一。

80 Gbps電路是基于半速率的結構，時鐘上等效于工作在40 Gbps的全速電路。這些半速電路工作在80 Gbps時功耗為1.3瓦，在40 Gbps時為400毫瓦，可以和現在的OC-192系統中的相仿。

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