高精度的5位數模轉換器DAC增強型V2TM控制

發布時間:2021/1/6 17:31:21 訪問次數:543

增強型V2TM控制方式具有快速瞬態響應(100納秒)和更低的抖動，從而將所需輸出電容器數量降到最低。輸出電壓是通過高精度的5位數模轉換器(DAC)進行設定，該數模轉換器可在0.8V至1.55V范圍內編程。NCP5331完全支持快速電壓(VID)偏移的要求，允許處理器改變控制器輸出電壓，且不會產生不合規范的干擾。

可編程過流關斷定時器限制了陡變(hiccup)時間，可防止對MOSFET開關的潛在損害。

為配合NCP5331在AMD Athlon處理器上的應用，功率MOSFET，即用于高邊的60Amp/28V NTD60N03開關和用于低邊的80Amp/24V NTD80N02開關。

高性能單端或差分放大器,10dB電壓增益,應用頻率從DC到10.0GHz.放大器提供低參考輸入(RTI)噪音頻譜密度(NSD)2.24 nV/√Hz (1000 MHz),在寬頻率范圍有最佳的失真性能,使得器件非常適合驅動高速12位到16位模數轉換器(ADC).

ADL5580適合用在高性能零中頻(IF)和復雜IF接收器設計.

器件還具有低失真,以用于單端輸入驅動器應用.器件的-3dB帶寬為10.0GHz,預設10dB增益,可用外接電阻來降低.

輻射容錯 DC-DC 轉換器電源模塊，該模塊采用 Vicor 最新電鍍 SM-ChiP™ 封裝。ChiP 可從 100V 的標稱電源為高達 300 瓦的低電壓 ASIC 供電，其經過波音公司測試，不僅能夠抵抗50 krad 電離總劑量，而且還具備抗單粒子干擾(single-event upsets)的功能。

憑借冗余架構實現對單粒子干擾(single-event upsets)免疫，將兩個具有容錯控制 IC 的相同功率模塊并聯，封裝于高密度 SM-ChiP模塊中實現抗干擾功能。

先進的通信衛星要求具備高功率密度和低噪聲特性。