新型超小型SMT電流感應變壓器PA0368
發布時間:2021/1/13 13:22:35 訪問次數:349
DDR存儲器控制器和DDR SDRAM存儲器之間接口，支持8位寬接口和用來并行處理數據總線寬度32/64/128位，支持X4，X8，X16和X32存儲器寬度。CW000701 DDR PHY 核每引腳高達400 Mbits/s
G12 (0.18 微米)
DDR存儲器控制器和DDR SDRAM存儲器之間接口，支持8位寬接口和用來并行處理數據總線寬度32/64/128位，支持X4，X8，X16和X32存儲器寬度。多端口DDR存儲器控制器高達 333 Mbits/sGflx (0.11 微米), G12 (0.18 微米)高達8個可配置32/64位AHB端口。
制造商:Texas Instruments產品種類:運算放大器 - 運放RoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8通道數量:2 Channel電源電壓-最大:5.5 VGBP-增益帶寬產品:1 MHzSR - 轉換速率 :1.7 V/ÂμsVos - 輸入偏置電壓 :1 mV
輸入偏置電流 :3 pA濕度敏感性:Yes產品類型:Op Amps - Operational AmplifiersPSRR - 電源抑制比:100 dB2500子類別:Amplifier ICsVcm - 共模電壓:Negative Rail - 0.1 V to Positive Rail + 0.1 V
新型超小型SMT電流感應變壓器PA0368，高度為3.3mm，占位面積為8.38mmx8.38mm，可用在通信和數據通信網絡以及工業控制系統中的DC/DC轉換器的反饋控制回路。由于它的獨特的環形的結構，形成一個閉合磁場，保證低的電磁干擾(EMI)。
主要的技術性能有：PA0368系列的變比為1:50, 70, 80, 100, 125，初級直流電阻(DCR)為4毫歐姆。在整個-40到130度的溫度范圍內有穩定性能和最小飄移。電感的工作頻率為50KHz 到500KHz。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
DDR存儲器控制器和DDR SDRAM存儲器之間接口，支持8位寬接口和用來并行處理數據總線寬度32/64/128位，支持X4，X8，X16和X32存儲器寬度。CW000701 DDR PHY 核每引腳高達400 Mbits/s
G12 (0.18 微米)
DDR存儲器控制器和DDR SDRAM存儲器之間接口，支持8位寬接口和用來并行處理數據總線寬度32/64/128位，支持X4，X8，X16和X32存儲器寬度。多端口DDR存儲器控制器高達 333 Mbits/sGflx (0.11 微米), G12 (0.18 微米)高達8個可配置32/64位AHB端口。
制造商:Texas Instruments產品種類:運算放大器 - 運放RoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8通道數量:2 Channel電源電壓-最大:5.5 VGBP-增益帶寬產品:1 MHzSR - 轉換速率 :1.7 V/ÂμsVos - 輸入偏置電壓 :1 mV
輸入偏置電流 :3 pA濕度敏感性:Yes產品類型:Op Amps - Operational AmplifiersPSRR - 電源抑制比:100 dB2500子類別:Amplifier ICsVcm - 共模電壓:Negative Rail - 0.1 V to Positive Rail + 0.1 V
新型超小型SMT電流感應變壓器PA0368，高度為3.3mm，占位面積為8.38mmx8.38mm，可用在通信和數據通信網絡以及工業控制系統中的DC/DC轉換器的反饋控制回路。由于它的獨特的環形的結構，形成一個閉合磁場，保證低的電磁干擾(EMI)。
主要的技術性能有：PA0368系列的變比為1:50, 70, 80, 100, 125，初級直流電阻(DCR)為4毫歐姆。在整個-40到130度的溫度范圍內有穩定性能和最小飄移。電感的工作頻率為50KHz 到500KHz。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-25全新 Riedon高功率厚膜電阻 PFS35 系列
- 11-25業界首款300mm（12英寸）碳化硅襯底
- 11-253Dblox技術A16 1.6nm工藝簡述
- 11-25快速開關場效應晶體管優勢及關鍵技術
- 11-25精密分流電阻器和電流觀察電阻器（CVR）優特點
- 11-25新型IsoVu隔離電流探頭應用詳情
- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
公網安備44030402000607
