低壓/小功率DC/DC轉換器和數碼相機中的功率管理
發布時間:2021/1/28 13:18:31 訪問次數:557
新型P-MOSFET,具有性能和節省空間的組合性能,能用在手機,PDA,手提音樂設備,GPS接收器,低壓/小功率DC/DC轉換器和數碼相機中的功率管理。
FDJ129P是采用Fairchild的高性能PowerTrench技術的SC75FLMP封裝(倒裝引線塑注封裝),和同樣性能的SSOT-6或TSOP-6封裝相比,板面積降低了60%。FDJ129P的耗散功率為1.8W,最大穩態電流4.2A,是同類競爭SC75封裝產品的12倍。
此外,FDJ129P由于其低損耗開關降低了系統功率損失,最大的脈沖電流為16A。
產品的主要性能:
P1S22A的波長范圍1525-1565nm,有自維護功能,磁性驅動系統以及有最大可能降低裝配元件數量,2x2開關能作為MEMS系統的小型化元件.
它的插入損耗2.5dB或更低(典型為1.7dB),串音為55dB或更高,回波損耗35dB或更高,轉換時驅動壓力為5VDC,尺寸為12(寬)X27(長)X8(高)mm.樣品價格24000日元.
P1L12A有注入成型的透鏡12個,間距250um,采用商用的MT連接器和定位腳,為業界第一個無對準的裝配.
微控制器單元(MCU) MSP430FE42x系列,用于電子電表(e 表).它把工業標準的超低功耗閃存MCU和集成的高性能模擬前端(AFE)組合在單一芯片上.新的MSP430FE42x系列產品,和第一代解決方案相比之,降低了系統芯片總數量80%,改善了性能,增加了可靠性,同時降低了成本,加速產品走向市場.
采用MSP430FE42x系列的系統不需要多個晶體,EEPROM,LCD驅動器,外接實時時鐘或5V電源.同時,該封裝不需要通常的導線鍵合,因而有極低的電阻。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
新型P-MOSFET,具有性能和節省空間的組合性能,能用在手機,PDA,手提音樂設備,GPS接收器,低壓/小功率DC/DC轉換器和數碼相機中的功率管理。
FDJ129P是采用Fairchild的高性能PowerTrench技術的SC75FLMP封裝(倒裝引線塑注封裝),和同樣性能的SSOT-6或TSOP-6封裝相比,板面積降低了60%。FDJ129P的耗散功率為1.8W,最大穩態電流4.2A,是同類競爭SC75封裝產品的12倍。
此外,FDJ129P由于其低損耗開關降低了系統功率損失,最大的脈沖電流為16A。
產品的主要性能:
P1S22A的波長范圍1525-1565nm,有自維護功能,磁性驅動系統以及有最大可能降低裝配元件數量,2x2開關能作為MEMS系統的小型化元件.
它的插入損耗2.5dB或更低(典型為1.7dB),串音為55dB或更高,回波損耗35dB或更高,轉換時驅動壓力為5VDC,尺寸為12(寬)X27(長)X8(高)mm.樣品價格24000日元.
P1L12A有注入成型的透鏡12個,間距250um,采用商用的MT連接器和定位腳,為業界第一個無對準的裝配.
微控制器單元(MCU) MSP430FE42x系列,用于電子電表(e 表).它把工業標準的超低功耗閃存MCU和集成的高性能模擬前端(AFE)組合在單一芯片上.新的MSP430FE42x系列產品,和第一代解決方案相比之,降低了系統芯片總數量80%,改善了性能,增加了可靠性,同時降低了成本,加速產品走向市場.
采用MSP430FE42x系列的系統不需要多個晶體,EEPROM,LCD驅動器,外接實時時鐘或5V電源.同時,該封裝不需要通常的導線鍵合,因而有極低的電阻。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)