1Gb DDR SDRAM HYB25D1G800AE-7,該器件采用先進的110nm CMOS工藝制造,芯片面積僅為160mm2,是業界最小的1Gb DDR SDRAM芯片.

新的1Gb DRAM的封裝是400密爾的66引腳TSOP或在空間受到嚴格限制應用的68針FBGA封裝.

所支持的結構有x4,x8和x16.1Gb 雙數據速率(DDR)覆蓋了從DDR266到DDR400整個受歡迎的DDR速率,其工作時鐘分別是133MHz到200MHz.

為了在每個模塊得到最高的存儲器密度,Infineon公司采用FBGA封裝的堆棧型來生產4GB注冊模塊.

制造商:Infineon 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:700 V Id-連續漏極電流:4 A Rds On-漏源導通電阻:1.15 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 16 V, + 16 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:4.7 nC 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:22.7 W 通道模式:Enhancement 商標名:CoolMOS 

產品屬性屬性值搜索類似制造商:Micron Technology產品種類:動態隨機存取存儲器系列:商標:Micron 產品類型:DRAM 子類別:Memory & Data Storage

IEEE 802.3af/ANSI X3.263兼容的以太網加電(PoE) 10/100BASE-TX變壓器模塊H1180,H1183和H1197,它們是特別設計用于中等范圍的PoE應用的.

使用H1180,H1183和H1197能立即對現有的以太網連接升級到以太網加電兼容的解決方案,使遙控設備能在同樣的不屏蔽雙絞線(UTP)電纜上接收功率和數據.

這些新的中等范圍元件不再需要安裝獨立的電源線給遙控設備供電,從而省了時間,成本和安裝工作.

H1180,H1183和H1197和現有的UTP以太網電纜平行.

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）